[实用新型]影像传感器封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片封装领域，尤其涉及一种影像传感器的封装结构。

背景技术

传统的影像传感器封装结构通常采用引线键合(WireBonding)进行封装，但随着集成电路的飞速发展，较长的引线使得产品尺寸无法达到理想要求。随着技术的发展，晶圆级封装逐渐取代引线键合封装，且晶圆级封装是目前较为常用的封装方法。

现有的晶圆级封装结构如图1所示。其包括待封装芯片200和覆盖层300。其中，在待封装芯片200的第一表面200a上形成有微透镜211，并且在待封装芯片200靠近第一表面200a的内部形成有焊垫212。在待封装芯片200的第一表面200a上以及覆盖层300的第一表面300a之间设置有支撑结构320。支撑结构320的表面涂布有粘合胶，用于粘接覆盖层300和待封装芯片200。在待封装芯片200与覆盖层300粘接后，在微透镜211上方与覆盖层300之间形成空腔310。

为了能够将待封装芯片200与外部的电路板实现电连接，在待封装芯片200的第二表面200b形成有多个刻蚀槽215，该刻蚀槽215的底部与焊垫212导通。在刻蚀槽215表面上形成有导电层213以及绝缘层214。并且在导电层213上形成焊点216，该焊点216与导电层213导通，焊点216与外部电路板上的焊点实现电连接，如此，就能够将待封装芯片200与外部电路板实现电连接。

然而，现有的晶圆级封装结构需要在待封装芯片上进行刻蚀工艺，增加了待封装芯片的损坏率，而且，由于该封装结构需要刻蚀工艺和薄膜淀积工艺，其工序较为繁琐并且封装成本较高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种影像传感器封装结构，以降低待封装芯片的损坏率。

为了达到上述实用新型目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种影像传感器封装结构，包括：

待封装芯片，所述待封装芯片包括相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有感光区以及位于所述感光区周围的第一焊垫；

设置于所述待封装芯片第一表面侧的基板，所述基板包括相对的第三表面和第四表面，所述第三表面上设置有第二焊垫和第三焊垫；所述第二焊垫位于所述第三焊垫的周围；其中，所述待封装芯片的第一表面和所述基板的第三表面相对；所述第一焊垫和所述第三焊垫连接。

可选的，所述基板上设置有导电层，所述导电层与所述第二焊垫和所述第三焊垫电连接，所述导电层由金属布线构成，所述金属布线的线宽和线间距在20-50微米之间。

可选的，所述金属布线的线宽和线间距为30微米。

可选的，所述第一焊垫和/或所述第三焊垫的表面上还形成有焊接凸点。

可选的，所述基板的材质为透明材质。

可选的，所述基板的材质为不透光材质，所述基板上设置有贯穿所述基板的开口，所述开口暴露出所述待封装芯片的感光区。

可选的，所述基板的第四表面上设置有保护层，所述保护层覆盖开口区域。

可选的，所述基板的第四表面上对应所述感光区的位置设置有镜头模组组件。

可选的，所述镜头组件包括透镜和用于支撑所述透镜的透镜支架。

可选的，所述第二焊垫的高度大于所述待封装芯片、所述第一焊垫以及所述第三焊垫的高度之和。

相较于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的影像传感器封装结构中，待封装芯片上的信号能够通过第一焊垫、第三焊垫以及第二焊垫传输出去，并且设置在基板第三表面上的第二焊垫能够与外部电路板上的焊点电连接，因而，待封装芯片与外部电路板之间可以通过第一焊垫、第三焊垫和第二焊垫实现信号的传输。这种信号传输方式无需对待封装芯片的背面进行刻蚀，形成自待封装芯片背面向待封装芯片内部延伸的刻蚀槽，所以，本实用新型提供的晶圆级影像传感器封装结构，降低了待封装芯片的损坏率。

附图说明

为了清楚地理解本实用新型和现有技术的方案，下面将描述本实用新型和现有技术的技术方案所用到的附图做一简要说明。显而易见地，这些附图仅是本实用新型的部分实施例，本领域技术人员在未付出创造性劳动的前提下，还可以获得其它附图。

图1是现有技术中晶圆级影像传感器封装结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的第一种影像传感器封装结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的第二种影像传感器封装结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的第三种影像传感器封装结构示意图。

具体实施方式