[实用新型]精密掩膜板

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示屏制造领域，特别是涉及一种精密掩膜板。

背景技术

随着平面显示器技术的蓬勃发展，有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，AMOLED)显示装置得到了广泛的应用。其与传统的液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)相比，除了更轻薄外，更具有自发光、低功率消耗、不需要背光源、无视角限制及高反应速率等优良特性，已成为目前平面显示器技术中的主流。

光刻工艺质量的优劣直接关系到AMOLED显示装置的质量如何。目前，AMOLED的光刻工艺通常采用的是精密掩膜板(finemask)。精密掩膜板采用张网和焊接的方法来制作。为了减少张网过程的皱褶，精密掩膜板设计时会考虑在图案区(patternarea)的两侧增加半刻蚀区(halfetchingarea)来释放应力，使精密掩膜板受力平均，减少皱褶。

如图1所示，现有技术中的精密掩膜板10包括图案区11和应力释放区(dummyarea)12，在应力释放区12中形成有半刻蚀区121。其中所述半刻蚀区121例如可以是在镍铁合金中进行刻蚀获得的半月形的凹槽，该刻蚀并未穿透镍铁合金层。但是，发明人发现，现有技术中的掩膜板结构并不利于应力的快速分散，依然容易引起皱褶，导致像素位置精度(pixelpositionaccuracy，PPA)不合格。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种精密掩膜板，减少皱褶的发生。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种精密掩膜板，包括沿第一方向分布的图案区以及位于其两侧的应力释放区，所述应力释放区包括沿第一方向分布的第一应力释放单元及第二应力释放单元，所述第二应力释放单元包括多个间隙。

可选的，对于所述的精密掩膜板，所述图案区以及所述应力释放区形成于一镍铁合金层中。

可选的，对于所述的精密掩膜板，所述第二应力释放单元位于第一应力释放单元的至少一侧。

可选的，对于所述的精密掩膜板，所述第二应力释放单元与第一应力释放单元的间距大于等于1mm。

可选的，对于所述的精密掩膜板，所述第一应力释放单元为半月形凹陷结构。

可选的，对于所述的精密掩膜板，所述第二应力释放单元包括多个沿第一方向分布的的连接条，相邻连接条之间具有间隙。

可选的，对于所述的精密掩膜板，所述第二应力释放单元呈矩形，其沿第一方向的宽度为20mm-30mm。

可选的，对于所述的精密掩膜板，所述精密掩膜板呈矩形，相邻两边与第一方向和第二方向平行，所述第二方向与第一方向垂直。

可选的，对于所述的精密掩膜板，所述第二应力释放单元在所述第二方向上与所述精密掩膜板边缘的距离大于等于0.3mm。

在本实用新型提供的精密掩膜板中，所述精密掩膜板包括沿第一方向分布的图案区以及位于其两侧的应力释放区，所述应力释放区包括沿第一方向分布的第一应力释放单元及第二应力释放单元，所述第二应力释放单元包括多个间隙。相比现有技术，本实用新型能够使得精密掩膜板的两端由于拉伸产生的不平衡的力迅速得以扩散，从而减少皱褶的发生，以提高精密掩膜板的质量。

附图说明

图1为现有技术中的精密掩膜板的结构示意图；

图2为本实用新型中的精密掩膜板的结构示意图；

图3为图2中第二应力释放单元222的局部放大图；

图4为现有技术中的精密掩膜板出现褶皱的示意图；

图5为本实用新型中的精密掩膜板出现褶皱的示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的精密掩膜板进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。