[实用新型]基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器

权利要求书

1.基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，包括：介质基板(1)、设于介质基板(1)底面上的金属镀层接地板(2)及设于介质基板(1)上面的金属微带线(3)，所述的接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有δ形缺陷结构。

2.根据权利要求1所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有多个δ形缺陷结构，接地板(2)上的多个δ形缺陷结构级联，微带线(3)上的多个δ形缺陷结构级联。

3.根据权利要求2所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有2个δ形缺陷结构。

4.根据权利要求1～3任一项所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的δ形缺陷结构为δ形槽，包括A槽线(101)、B槽线(102)、C槽线(103)、D槽线(104)、E槽线(105)、F槽线(106)和G槽线(107)，所述的B槽线(102)的两端分别与A槽线(101)和C槽线(103)的一端连接，D槽线(104)的两端分别与E槽线(105)的一端及C槽线(103)的另一端连接，F槽线(106)的两端分别与G槽线(107)的一端及E槽线(105)的另一端连接；所述的A槽线(101)、C槽线(103)、E槽线(105)和G槽线(107)之间相互平行，D槽线(104)分别与B槽线(102)和F槽线(106)平行；所述的B槽线(102)分别与A槽线(101)和C槽线(103)垂直，D槽线(104)分别与C槽线(103)和E槽线(105)垂直，F槽线(106)分别与E槽线(105)和G槽线(107)垂直。

5.根据权利要求4所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的A槽线(101)、C槽线(103)和E槽线(105)的长度相同；B槽线(102)和F槽线(106)的长度相同。

6.根据权利要求5所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的A槽线(101)与C槽线(103)之间的垂直距离、G槽线(107)的另一端和D槽线(104)之间的垂直距离、C槽线(103)与G槽线(107)之间的垂直距离以及G槽线(107)与E槽线(105)之间的垂直距离均相等。

7.根据权利要求5或6所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的A槽线(101)、B槽线(102)、C槽线(103)、D槽线(104)、E槽线(105)、F槽线(106)和G槽线(107)的线宽均相同。

8.根据权利要求6所述的基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，其特征在于，所述的介质基板(1)的介电常数为2.65，介质基板(1)的厚度为1.6mm；微带线(3)的宽度为4.3mm，对应阻抗为50欧姆；对于接地板(2)，所述的线宽为0.5mm，A槽线(101)与C槽线(103)之间的垂直距离、G槽线(107)的另一端和D槽线(104)之间的垂直距离、C槽线(103)与G槽线(107)之间的垂直距离以及G槽线(107)与E槽线(105)之间的垂直距离均为0.5mm，A槽线(101)、C槽线(103)或E槽线(105)的长度为9mm；2个接地板(2)之间的距离为3mm；对于微带线(3)，所述的线宽为0.4mm，A槽线(101)与C槽线(103)之间的垂直距离、G槽线(107)的另一端和D槽线(104)之间的垂直距离、C槽线(103)与G槽线(107)之间的垂直距离以及G槽线(107)与E槽线(105)之间的垂直距离均为0.4mm，A槽线(101)、C槽线(103)或E槽线(105)的长度为6mm；2个接地板(2)之间的距离为4mm。