[实用新型]一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟有效
| 申请号： | 201520529734.9 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN204991668U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 苗利刚;史舸;魏海霞;李战国;李海涛;寇文辉;孟娟峰 | 申请（专利权）人： | 麦斯克电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 罗民健 |
| 地址： | 471000 河南省洛阳*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 低压 化学 沉积 多晶 硅崩边 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟，包括瓦片（5）、设置在瓦片（5）内的上槽棒（1）和下槽棒（2），以及设置在瓦片（5）底部的脚棒（4）和舟插管（6），其特征在于：所述上槽棒（1）设置为两个，下槽棒（2）设置为一个并位于瓦片（5）内底部的中心位置，在瓦片（5）内下槽棒（2）的两侧对称设有两个支撑棒（3），硅片（7）通过上槽棒（1）和下槽棒（2）上开设的定位槽定位，并支撑在两个支撑棒（3）上，两支撑棒（3）的支撑面均为圆弧面，圆弧支撑面上设有磨砂层（9），该磨砂层（9）上均布有颗粒状的凸起，以使硅片（7）与两支撑棒（3）之间的接触为多点接触。
2.如权利要求1所述的一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟，其特征在于：所述两支撑棒（3）为圆柱形棒。
3.如权利要求1所述的一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟，其特征在于：所述瓦片（5）的底部设有两个定位棒（8），用于在倒片过程中将舟整体定位在倒片机的叉子（10）上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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