[实用新型]一种光电一体集成光源结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电领域，尤其涉及一种光电一体集成光源结构。

背景技术

传统的大功率LEDCOB(ChipOnBoard)是以日本西铁城公司标准的开孔设计的，都是34mm*34mm的正方形的螺丝开孔，反光面积是23mm*23mm的正方形。也就是说不管功率有多大，都是以23mm*23mm为反光面的。如果COB是20瓦，它的发光面是23mm*23mm，70瓦也是23mm*23mm，100瓦也是23mm*23mm，也就是说100瓦COB的发光是20瓦COB的五倍，它所承载的发热量也是20瓦的五倍。假设铝基板在20瓦时的热传递系数是160W/M·K，100瓦时就要求800W/M·K，紫铜基板的热传递系数大概为400W/M·K，因此即使采用紫铜基板也需要铝基板的2倍大小，而紫铜价钱是铝基板的3-6倍，成本的升高对市场的竞争性是一个负担。

封装方面，LED芯片绑定(WIREBAND)技术对产业化是一个瓶颈的制约，因为它的操作速度有限，如果有较大的需求，就需要投入更多的绑定机器的固定资产，这在当今竞争激烈的市场环境是非常不利的。另外COB封装技术的光源无法维修，只能整体更换，因此也很有局限性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种散热效果好、成本低廉的光电一体集成光源结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种光电一体集成光源结构，包括一铝基板和设置于所述铝基板上的多个LED芯片，所述铝基板的大小为61mm*61mm，厚度为1.0-1.5mm，所述多个LED芯片通过SMD焊接于铝基板上，所述多个LED芯片的总功率为20瓦。

进一步的，所述铝基板与所述多个LED芯片的一个电极电连接。

进一步的，所述多个LED芯片上方设置有一保护罩。

进一步的，所述保护罩侧面设置有光反射膜。

本实用新型的有益效果在于：采用大尺寸铝基板提高散热性能，降低成本，采用SMD封装技术在进一步提高散热性能的同时还能方便维修更换单个LED芯片，循环利用保护环境。

附图说明

图1为本实用新型实施例一光电一体集成光源结构图俯视图；

图2为本实用新型实施例二的光电一体集成光源结构图侧视图；

标号说明：

1、铝基板；2、LED芯片；3、保护罩；4、光反射膜。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本实用新型最关键的构思在于:采用大尺寸铝基板以及SMD(SurfaceMountedDevices)表面封装技术，提高散热性能，降低成本。

请参照图1，一种光电一体集成光源结构，包括一铝基板和设置于所述铝基板上的多个LED芯片，所述铝基板的大小为61mm*61mm，厚度为1.0-1.5mm，所述多个LED芯片通过SMD焊接于铝基板上，所述多个LED芯片的总功率为20瓦。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：采用大尺寸铝基板提高散热性能，降低成本，采用SMD封装技术在进一步提高散热性能的同时还能方便维修更换单个LED芯片，循环利用保护环境。

进一步的，所述铝基板与所述多个LED芯片的一个电极电连接。

进一步的，所述多个LED芯片上方设置有一保护罩。

由上述描述可知，保护罩能够保护LED芯片，避免造成损伤。

进一步的，所述保护罩侧面设置有光反射膜。

由上述描述可知，光反射膜能够提高光反射，保证出光方向，提高出光效率。

实施例一

请参照图1，本实用新型的实施例一为：一种光电一体集成光源结构，包括一铝基板1和设置于所述铝基板1上的多个LED芯片2，所述铝基板的大小为61mm*61mm，厚度为1.0-1.5mm，优选1.2mm，大尺寸铝基板可以得到更佳的散热性能；所述多个LED芯片通过SMD表面封装技术焊接于铝基板上，如果LED芯片被烧坏，可以通过更换LED芯片光对它继续维修，可以循环再用，对环境起着保护作用。所述多个LED芯片可以是白光LED，也可以是红、黄、蓝、绿等不同颜色的组合，所述多个LED芯片的总功率为10-30瓦，优选20瓦。为了简化结构，所述铝基板1可以作为多个LED芯片的其中一个电极。

实施例二