[实用新型]一种基于频率校正的数字选频系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种选频系统，具体是指一种基于频率校正的数字选频系统。

背景技术

目前在通信体制的基站、基站子系统、直放站和载波调度等系统中，一般都采用模拟技术来实现对带下无用信号的抑制处理，实现对移动通信信号的选频功能。但是，在使用这种技术时模拟器件产生的本振信号稳定性差，容易出现频率偏移，导致系统的输入、输出频点发生偏移。如何克服上述问题是人们所急需解决的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服传统的数字选频系统的输入、输出频点容易发生偏移的缺陷，提供一种基于频率校正的数字选频系统。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种基于频率校正的数字选频系统，其由A/D转换器，D/A转换器，以及与A/D转换器相连接的数字中频处理子系统组成，为了达到本实用新型的目的，本实用新型在数字中频处理子系统和D/A转换器之间还串接有频率校正单元。

进一步的，所述频率校正单元由场效应管MOS1，乘法器，一端经电感L1后与场效应管MOS1的漏极相连接、另一端则经电阻R3后接地的电阻R2，N极与场效应管MOS1的源极一起作为该频率校正单元的输出端、P极则与场效应管MOS1的漏极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的N极相连接、P极则与场效应管MOS1的源极相连接的极性电容C1，与极性电容C1相并联的电阻R6，串接在场效应管MOS1的漏极和栅极之间的电阻R1，串接在场效应管MOS1的栅极和其源极之间的电流控制环路，以及输入端与电阻R2和电阻R3的连接点相连接、输出端则与场效应管MOS1的源极相连接的电压控制环路组成；所述乘法器的输出端与场效应管MOS1的栅极相连接、而其输入端则与电感L1和电阻R2的连接点一起形成该频率校正单元的输入端。

所述的电流控制环路包括功率放大器P1，电阻R4以及二极管D2；所述电阻R4串接在功率放大器P1的负极与输出端之间，二极管D2的P极与功率放大器P1的输出端相连接、其N极则与场效应管MOS1的源极相连接，所述功率放大器P1的正极与乘法器的输出端相连接、其负极则与电阻R2和电感L1的连接点相连接。

所述的电压控制环路包括功率放大器P2，电阻R5，二极管D3；所述电阻R5串接于功率放大器P2的负极和输出端之间，二极管D3的P极与功率放大器P2的输出端相连接、其N极则与场效应管MOS1的源极相连接，功率放大器P2的正极和负极均与电阻R2和电阻R3的连接点相连接。

数字下变频子单元，与数字下变频子单元相连接的接口单元，以及与接口单元相连接的数字上变频子单元。

所述的数字下变频子单元包括：DT端双工器、下行下变频单元；接口单元包括：中继端接口单元、远端接口单元；数字上变频子单元包括：下行上变频单元、MT端双工器；所述的DT端双工器的输出信号依次通过下行下变频单元、中继端接口单元、远端接口单元、下行上变频单元、及MT端双工器。

本实用新型较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

(1)本实用新型能够产生高精度的本振信号，可有效降低频率偏移。

(2)本实用新型较现在技术相比减少了模拟器件的使用，提高了系统性能，便于系统调度和生产。

(3)本实用新可以对信号频率进行校正，消徐了系统自身干扰因素的影响，使本实用新型精度更高。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图2为本实用新型的数字中频处理子系统的具体结构图。

图3为本实用新型频率校正单元的电路图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例

如图1所示，本实用新型的基于频率校正的数字选频系统，其由A/D转换器，数字中频处理子系统，频率校正单元，D/A转换器组成。所述的A/D转换器依次与数字中频处理子系统、频率校正单元、D/A转换器相连接。

其中，A/D转换器用于接收输入的模拟中频信号，并对该模拟的中频信号进行模数转换处理，输出高速率的数字中频信号。D/A转换器主要用于接收来自频率校正单元的输出信号，实现对信号的数模转换处理，输出模拟中频信号。

该数字中频处理子系统包括：数字下变频子单元，与数字下变频子单元相连接的接口单元，以及与接口单元相连接的数字上变频子单元。数字中频处理子系统把输入的模拟中频信号进行处理再输出。