[实用新型]一种具有过电保护功能的轻穿通型IGBT芯片结构

权利要求书

1.一种具有过电保护功能的轻穿通型IGBT芯片结构，包括若干个呈并联结构的元胞，其特征在于，所述元胞的下表面连接集电极，且向上依次设有集电极金属接触层（1）、第一P+掺杂层（2）、N型缓冲层（3）和N-衬底层（4）；

   所述元胞的上表面分别连接发射极和栅极，在发射极的下方向下依次设有发射极金属接触层（10）、第二P+掺杂层（9）、P-掺杂层（6）和N型载流子存储层（5），在栅极的下方向下依次设有栅极金属接触层（11）和由多晶硅栅（12）和栅氧化层（13）组成的沟槽栅结构；

所述发射极金属接触层（10）位于两栅极金属接触层（11）之间且间隔设置，所述第二P+掺杂层（9）、P-掺杂层（6）和N型载流子存储层（5）位于两沟槽栅结构之间，且在第二P+掺杂层（9）与栅氧化层（13）之间设有若干个并排的、呈间隔布置的且为长方体结构的N+掺杂块层（7），所述N型载流子存储层（5）和栅氧化层（13）分别与N-衬底层（4）相连。

2.如权利要求1所述的一种具有过电保护功能的轻穿通型IGBT芯片结构，其特征在于：

在两相邻N+掺杂块层（7）之间设有为长方体结构的绝缘块层（8），所述绝缘块层（8）与N+掺杂块层（7）的高度和宽度均相同。

3.如权利要求2所述的一种具有过电保护功能的轻穿通型IGBT芯片结构，其特征在于，所述发射极金属接触层（10）局部连接位于其两侧下方的N+掺杂块层（7）和绝缘块层（8）。

4.如权利要求2所述的一种具有过电保护功能的轻穿通型IGBT芯片结构，其特征在于，所述绝缘块层（8）的长度不小于0.3倍N+掺杂块层（7）的长度且不大于0.6倍N+掺杂块层（7）的长度。

5.如权利要求1所述的一种具有过电保护功能的轻穿通型IGBT芯片结构，其特征在于，所述N+掺杂块层（7）的长宽比为3:2。

6.如权利要求1所述的一种具有过电保护功能的轻穿通型IGBT芯片结构，其特征在于，所述沟槽栅结构的深度大于第二P+掺杂层（9）、P-掺杂层（6）和N型载流子存储层（5）三者的厚度之和且不超过1微米。