[实用新型]存储器晶圆

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种动存储器晶圆。

背景技术

动态随机存取存储器（DRAM，DynamicRandomAccessMemory）具有容量大、速度快、单元成本低等特点，因此用途极为广泛。经过长期的发展，目前DRAM已经发展出多种多代产品，比如：在高性能领域已经从第一代DDR进化到第五代的DDR5，在低功耗的应用场合已经从LPDDR进化到LPDDR2。

图1所示，目前的DRAM芯片，每一个芯片单元都有独立的CP测试PAD来对DRAM进行测试和修复。这些测试PAD包含电源PAD,信号PAD，指令PAD和地址PAD。这些PAD在完成测试后，就不再需要了，也不用封装出去。主要缺点：CP测试的PAD数量较多，占据了相当一部分芯片面积。在进行读写测试和老化测试和修补时，每颗DRAM芯片都通过独立的CPPAD来进行操作，而测试机台的效率通常受限于测试PAD的数目，这样每次能够同时测试的DRAM芯片就受到CPPAD数目的限制，测试的时间较长，测试成本较高。

实用新型内容

本实用新型提供一种适用于动态随机存取存储器的测试方法，包括：

本实用新型还提供一种存储器晶圆，包括：若干动态随机存取存储器；设置于动态随机存取存储器间切割道上的若干测试焊盘，至少两个动态随机存取存储器共用相邻的测试焊盘。

优选的，所述测试焊盘包括至少两个选择焊盘，所述选择焊盘分别对应于周围的动态随机存取存储器。

优选的所述两个动态随机存取存储器共用相邻的测试焊盘，所述相邻的动态随机存取存储器的器件布局的方向相差180度。

本实用新型通过将CP测试中使用而于封装后不需要的测试焊盘设置于相邻动态随机存取存储器之间的切割道上，并于CP测试后沿切割道切除进行芯片级封装，采用该设计方式及测试方法能增加了动态随机存取存储器有效的版上面积，提高了动态随机存取存储器的测试效率，节省了测试时间。

附图说明

图1为现有技术中动态随机存取存储器的测试焊盘设计方法；

图2为本实用新型第一实施例的动态随机存取存储器的测试焊盘的结构示意图；

图3为本实用新型第二实施例的动态随机存取存储器的测试焊盘的结构示意图；

图4为本实用新型一种动态随机存取存储器的测试方法的流程图；

图5为本实用新型一种动态随机存取存储器的测试焊盘的设计方法流程图。

具体实施方式

请参考图1，图1为现有技术中动态随机存取存储器的测试焊盘设计方法，请参考图1，存储器晶圆（未标注）上设置有若干动态随机存取存储器芯片，每一动态随机存取存储器芯片100在芯片版面内一定区域设置有独立CP测试焊盘101，CP测试焊盘用于对动态随机存取存储器芯片100进行测试和修复。其中CP测试焊盘101包括：电源焊盘102，信号焊盘103，指令焊盘104，地址焊盘105。由于CP测试焊盘适用于芯片中测，在测试完毕后，就不需要了，也不需要封装出去。由于CP测试焊盘的不可或缺性及后续封装不需要，再加上现有设计中放置于芯片版面设计内，会占用芯片的有效面积。此外每颗动态随机存取存储器芯片都采用各自独立的CP测试焊盘来操作，而测试机台的效率通常受限于相应的CP测试焊盘101数量，这样每次能同时测试的动态随机存取存储器芯片会受到CP测试焊盘数量的限制，导致测试时间较长，测试成本较高。