[实用新型]源级大电容MOS器件有效
| 申请号： | 201520312182.6 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN204558470U | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 张干;王建全;彭彪;王作义;崔永明 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 罗言刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源级大 电容 mos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.源极大电容MOS器件，包括A型外延层，还包括位于A型外延层上的B型MOS器件，其特征在于，所述B型MOS器件源极外侧紧邻有A型重掺杂区，所述A型重掺杂区的掺杂浓度大于A型外延层，所述A型重掺杂区的底部具有向B型MOS器件的内侧有源区底部延伸的延伸部；所述A型、B型为载流子是空穴或电子的导电类型。
2. 如权利要求1所述的源极大电容MOS器件，其特征在于，所述A型重掺杂区的电位与B型MOS器件衬底电位相同。
3. 如权利要求1所述的源极大电容MOS器件，其特征在于，所述A型重掺杂区包围B型MOS器件有源区底面和各个侧面，但不包括内侧有源区面向B型MOS器件沟道方向的侧面。
4. 如权利要求1所述的源极大电容MOS器件，其特征在于，所述A型为P型，B型为N型。
5. 如权利要求1所述的源极大电容MOS器件，其特征在于，所述B型MOS器件有源区靠近源级的沟道边缘具有第一A型浅掺杂区，所述第一A型浅掺杂区的的掺杂浓度小于B型MOS器件沟道的掺杂浓度。
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