[实用新型]LED2、4寸芯片兼容性沉积SIO2电极平台有效
| 申请号： | 201520292442.8 | 申请日： | 2015-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN204614761U | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 丁维才;高学生;王涛;王雷 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 | 代理人： | 汪守勇 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led2 芯片 兼容性 沉积 sio sub 电极 平台 | ||
1.一种LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，包括腔体、铝电极圆柱和芯片载放平台，其特征在于，所述芯片载放平台上设置有多个4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽内设有多个2寸芯片放置槽，所述铝电极圆柱在腔体底部，所述芯片载放平台水平放置于铝电极圆柱上。
2.如权利要求1所述的LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，其特征在于，所述铝电极圆柱高度为40mm。
3.如权利要求1所述的LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，其特征在于，所述4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽的直径两端均设有取片点，所述取片点的圆弧直径为6mm，所述取片点深度为0.45mm。
4.如权利要求3所述的LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，其特征在于，所述4寸芯片放置槽直径为101mm，深度为0.35mm。
5.如权利要求4所述的LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，其特征在于，所述4寸芯片放置槽有13个。
6.如权利要求3所述的LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，其特征在于，所述2寸芯片放置槽直径为51mm，深度为0.4mm。
7.如权利要求6所述的LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，其特征在于，所述2寸芯片放置槽有51个。
8.如权利要求1所述的LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，其特征在于，所述腔体内壁直径为530mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司，未经合肥彩虹蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520292442.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种功率半导体器件
- 下一篇：电感耦合等离子体喷枪及等离子体设备
