[实用新型]一种阵列基板、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201520163056.9 | 申请日: | 2015-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN204464279U | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
| 发明(设计)人: | 刘凤娟;辛龙宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板、形成于衬底基板上的氧化物TFT,所述氧化物TFT的上方设置有钝化层,其特征在于,所述钝化层包括第一膜层,所述第一膜层为氧化硅薄膜;
所述钝化层还包括形成于所述第一膜层之上的第二膜层,所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层,所述第二膜层的靠近所述第一膜层的底层为氮化硅薄膜;
其中,所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层的远离所述第一膜层顶层为氮化硅薄膜。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层中的各层氮化硅薄膜的厚度相等,所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜的厚度相等,且所述第二膜层中的氧化硅薄膜的厚度大于或等于所述第二膜层中的氮化硅薄膜的厚度。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层,由底层至顶层,各层薄膜的厚度递减。
5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一膜层的厚度范围为1500~4000埃。
6.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层中每一层氧化硅薄膜的厚度为100~300埃,所述第二膜层中第一层氮化硅薄膜的厚度为100~300埃。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜和各层氮化硅薄膜的厚度之和小于1000埃。
8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





