[实用新型]一种阵列基板、显示面板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201520163056.9 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN204464279U 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 刘凤娟;辛龙宝 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括衬底基板、形成于衬底基板上的氧化物TFT,所述氧化物TFT的上方设置有钝化层,其特征在于,所述钝化层包括第一膜层,所述第一膜层为氧化硅薄膜;

所述钝化层还包括形成于所述第一膜层之上的第二膜层,所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层,所述第二膜层的靠近所述第一膜层的底层为氮化硅薄膜;

其中,所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层的远离所述第一膜层顶层为氮化硅薄膜。

3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层中的各层氮化硅薄膜的厚度相等,所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜的厚度相等,且所述第二膜层中的氧化硅薄膜的厚度大于或等于所述第二膜层中的氮化硅薄膜的厚度。

4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层,由底层至顶层,各层薄膜的厚度递减。

5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一膜层的厚度范围为1500~4000埃。

6.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层中每一层氧化硅薄膜的厚度为100~300埃,所述第二膜层中第一层氮化硅薄膜的厚度为100~300埃。

7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜和各层氮化硅薄膜的厚度之和小于1000埃。

8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。

9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的显示面板。

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