[实用新型]一种电流源有效
| 申请号: | 201520140798.X | 申请日: | 2015-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN204462929U | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
| 发明(设计)人: | 沈孙园 | 申请(专利权)人: | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电流 | ||
技术领域
本实用新型涉及电流源,尤其涉及到一种零温度系数并提供大电流的电流源。
背景技术
设计电流源要具有不随温度变化并且能够输出大电流。
发明内容
本实用新型旨在提供一种零温度系数并提供大电流的电流源。
一种电流源,包括第一NPN管、第二NPN管、第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第二NMOS管:
所述第一NPN管的基极接带隙基准电压VREF,集电极接电源VCC,发射极接所述第二NPN管的基极;
所述第二NPN管的基极接所述第一NPN管的发射极,集电极接电源VCC,发射极接所述第一电阻的一端;
所述第一电阻的一端接所述第二NPN管的发射极,另一端接所述第二电阻的一端;
所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端,另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极;
所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极,源极接地;
所述第二NMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极,漏极为输出电流端IREF,源极接地。
可以通过调节所述第一NMOS管的宽长比与所述第二NMOS管的宽长比的比值进行调节输出电流IREF;也可以通过调节所述第一电阻和所述第二电阻的电阻之和来调节输出电流IREF。
基准电压VREF是由带隙基准电路输出的电压,具有零温度系数特性;所述第一NPN管和所述第二NPN管的导通阈值电压为0.7V具有负温度系数,所述第一电阻可以采用基区BASE电阻具有正温度系数,所述第二电阻可以采用多晶POLY电阻具有负温度系数,通过设置这两个电阻的温度系数以及所述第一NPN管和所述第二NPN管的温度系数的平衡达到零温度系数;所述第一NPN管和所述第二NPN管组成达林顿管,可以起到进一步放大电流并通过镜像给输出电流IREF。
附图说明
图1为本实用新型的一种电流源的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。
一种电流源,如图1所示,包括第一NPN管10、第二NPN管20、第一电阻30、第二电阻40、第一NMOS管50和第二NMOS管60:
所述第一NPN管10的基极接带隙基准电压VREF,集电极接电源VCC,发射极接所述第二NPN管20的基极;
所述第二NPN管20的基极接所述第一NPN管10的发射极,集电极接电源VCC,发射极接所述第一电阻30的一端;
所述第一电阻30的一端接所述第二NPN管20的发射极,另一端接所述第二电阻40的一端;
所述第二电阻40的一端接所述第一电阻30的一端,另一端接所述第一NMOS管50的栅极和漏极和所述第二NMOS管60的栅极;
所述第一NMOS管50的栅极和漏极接在一起再接所述第二电阻40的一端和所述第二NMOS管60的栅极,源极接地;
所述第二NMOS管60的栅极接所述第二电阻40的一端和所述第一NMOS管50的栅极和漏极,漏极为输出电流端IREF,源极接地。
可以通过调节所述第一NMOS管50的宽长比与所述第二NMOS管60的宽长比的比值进行调节输出电流IREF;也可以通过调节所述第一电阻30和所述第二电阻40的电阻之和来调节输出电流IREF。
基准电压VREF是由带隙基准电路输出的电压,具有零温度系数特性;所述第一NPN管10和所述第二NPN管20的导通阈值电压为0.7V具有负温度系数,所述第一电阻30可以采用基区BASE电阻具有正温度系数,所述第二电阻40可以采用多晶POLY电阻具有负温度系数,通过设置这两个电阻的温度系数以及所述第一NPN管10和所述第二NPN管20的温度系数的平衡达到零温度系数;所述第一NPN管10和所述第二NPN管20组成达林顿管,可以起到进一步放大电流并通过镜像给输出电流IREF。
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