[实用新型]一种电流源有效
| 申请号： | 201520140798.X | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN204462929U | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 沈孙园 | 申请（专利权）人： | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 | ||
【权利要求书】：
1.一种电流源，其特征在于，包括第一NPN管、第二NPN管、第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第二NMOS管：
所述第一NPN管的基极接带隙基准电压VREF，集电极接电源VCC，发射极接所述第二NPN管的基极；
所述第二NPN管的基极接所述第一NPN管的发射极，集电极接电源VCC，发射极接所述第一电阻的一端；
所述第一电阻的一端接所述第二NPN管的发射极，另一端接所述第二电阻的一端；
所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；
所述第二NMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极为输出电流端IREF，源极接地；
所述第一电阻采用具有正温度系数的基区BASE电阻，所述第二电阻采用具有负温度系数的多晶POLY电阻。
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