[实用新型]零温度系数的电流源有效
| 申请号： | 201520140775.9 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN204631666U | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 齐盛 | 申请（专利权）人： | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度 系数 电流 | ||
【权利要求书】：
1.零温度系数的电流源，其特征在于，包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2、第一PMOS管和第二PMOS管：
所述第一运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一电阻R1的一端和所述第一NMOS管的源极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻R1的一端；
所述第一电阻R1的一端接所述第一NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，另一端接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地；
所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源VCC；
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极输出电流I2，源极接电源VCC。
2.根据权利要求1所述的零温度系数的电流源，其特征在于，所述第一电阻R1是采用正温度系数的基区BASE电阻，所述第二电阻R2采用负温度系数的多晶POLY电阻。
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