[实用新型]LED芯片及使用该LED芯片的发光装置有效
| 申请号： | 201520104556.5 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN204538077U | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 吴飞翔;李庆;陈立人;蔡睿彦 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/02 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 使用 发光 装置 | ||
1.一种LED芯片，包括：
衬底；
设置与所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；
设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；
以及N型电极和P型电极；其特征在于，
所述LED芯片上间隔地设置有至少两个盲孔，每个盲孔均穿过所述P型半导体层、发光层，及部分所述N型半导体层，且所述N型电极的一部分设置于所述盲孔内与所述N型半导体层电性连接。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片上间隔地设置有多个盲孔，所述多个盲孔呈直线型排布。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型电极包括条状部，所述条状部覆盖于至少部分的盲孔底壁，及盲孔开口侧的部分P型半导体层上方，其中，所述LED芯片还设置有钝化层，所述钝化层设置于所述N型电极和P型半导体层之间。
4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述N型电极还包括连接部，所述连接部设置于所述P型半导体层上，且与所述P型半导体层之间绝缘设置，所述连接部暴露的电连接面积大于所述盲孔内N型电极暴露的电连接面积。
5.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述钝化层还设置于所述N型电极和发光层之间。
6.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述盲孔开口面积大于所述盲孔底壁的面积。
7.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述钝化层的绝缘材料为二氧化硅。
8.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，设置于所述盲孔底壁的N型电极呈中空环形。
9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，至少设置于所述发光层上方的所述N型电极为反射型电极。
10.一种发光装置，所述包括封装结构，以及权利要求1~9任一项所述的LED芯片。
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