[实用新型]一种IGBT耐压检测电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Translator）耐压检测电路。

背景技术

IGBT是由双极结晶体管 (BJT，Bipolar Junction Transistor)和金属氧化物半导体 (MOS，Metal Oxide Semiconductor)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的高输入阻抗和大功率晶体管（GTR，Giant Transistor）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，即驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动机构等。

耐压是IGBT的重要特性，而传统的IGBT耐压检测电路存在电路复杂、成本高的问题。

实用新型内容

本实用新型解决现有IGBT耐压检测电路存在电路复杂、成本高的问题。

为解决上述问题，本实用新型提供如下的技术方案：

一种IGBT耐压检测电路，包括接触调压器、与接触调压器的输出端连接的变压器、三个整流桥、六个电容、六个第一电阻以及一个第二电阻；变压器具有三个输出端，每个输出端均与一个整流桥的输入端连接，每个整流桥输出端并联有相串联的两个电容，每个电容并联一个第一电阻，三个整流桥的输出端相串联，串联在一起的三个整流桥的正极输出端与第二电阻串联。

优选的，接触调压器的型号为TDGC2-2KVA，变压器的输入为220V、三个输出均为600V，三个整流桥均为10A、2500V整流桥，六个电容均为470μF、450V电容，六个第一电阻均为5KΩ、80W电阻，第二电阻为1200KΩ、10W电阻。

优选的，串联在一起的三个整流桥的正极输出端与第二电阻串联后连接IGBT的集电极，串联在一起的三个整流桥的负极输出端连接IGBT的发射极和门极。

本实用新型的IGBT耐压检测电路结构简单，由于不需要设置控制器或复杂的电路，所以具有成本低、维修容易的优点。

附图说明

图1为本实用新型的IGBT耐压检测电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1所示IGBT耐压检测电路包括：接触调压器、与接触调压器的输出端连接的变压器、三个整流桥、六个电容(电容C1至C6)、六个第一电阻（电阻R1至R6）以及一个第二电阻R7；变压器具有三个输出端，每个输出端均与一个整流桥的输入端连接，并联的一个电容和一个第一电阻与并联的另一个电容和另一个第一电阻串联后，与一个整流桥的输出端并联，例如，电容C1和电阻R1并联，电容C2和电阻R2并联，并联的电容C1和电阻R1与并联的电容C2和电阻R2串联后与一个整流桥的输出端并联。再比如，另一个整流桥输出端并联有相串联的两个电容，即C3和C4，电容C3并联电阻R3，电容C4并联电阻R4。三个整流桥的输出端相串联，串联在一起的三个整流桥的正极输出端与第二电阻R7串联。三个整流桥均由2500V的二极管VD1至VD4组成。

其中，接触调压器的型号为TDGC2-2KVA，变压器的输入为220V、三个输出均为600V，三个整流桥均为10A、2500V整流桥，六个电容均为470μF、450V电容，六个第一电阻均为5KΩ、80W电阻，第二电阻为1200KΩ、10W电阻。

在使用时，串联在一起的三个整流桥的正极输出端与第二电阻R7串联后连接IGBT的集电极，串联在一起的三个整流桥的负极输出端连接IGBT的发射极和门极。

使用本实用新型的IGBT耐压检测电路进行检测的步骤如下：

1．将接触调压器输入端接220V交流（AC）电，输出端接变压器的220V输入端，变压器3个600V输出端分别连接三个整流桥输入端，每个整流桥输出端并联有相串联的两个电容，每个电容并联一个5KΩ电阻。