[实用新型]一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路

权利要求书

1.一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，包括二极管、电阻、电容、光电耦合器、三极管、接触器、功率管，其特征在于：接触器（J1）的一端分别连接电源、二极管七（D7）的阴极、电阻七（R7）的一端及光电耦合器一（U1）的集电极；接触器（J1）的另一端分别连接二极管七（D7）的阳极、功率管（T9）的漏电极；功率管（T9）的源极分别连接电容三（C3）的负极、三极管（Q1）的集电极、电阻六（R6）的一端、光电耦合器二（U2）的发射极及接地；功率管（T9）的门极分别连接电阻七（R7）的另一端、电容三（C3）的正极、三极管（Q1）的发射极及光电耦合器二（U2）的集电极；光电耦合器一（U1）发光管的正极分别连接电阻五（R5）的一端、电阻三（R3）的一端、电阻四（R4）的一端及光电耦合器二（U2）发光管的正极；电耦合器一（U1）发光管的负极分别连接电阻五（R5）的另一端及稳压二极管一（Z1）的阴极；电耦合器二（U2）发光管的负极分别连接电阻四（R4）的另一端、稳压二极管二（T1）的阴极；稳压二极管一（Z1）的阳极分别连接稳压二极管二（T1）的阳极、电容一（C1）的一端、电阻二（R2）的一端、二极管六（D6）的阳极、二极管四（D4）的阳极及二极管二（D2）的阳极；电阻三（R3）的另一端连接稳压二极管三（TVS1）的阳极，稳压二极管三（TVS1）的阴极分别连接电阻一（R1）的一端、二极管五（D5）的阴极、二极管三（D3）的阴极及二极管一（D1）的阴极；电容一（C1）的另一端分别连接电阻一（R1）的另一端及电阻二（R2）的另一端；二极管一（D1）的阳极连接二极管二（D2）的阴极；二极管三（D3）的阳极连接二极管四（D4）的阴极；二极管五（D5）的阳极连接二极管六（D6）的阴极。

2.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于：所述的三极管（Q1）基极分别连接电阻六（R6）的另一端、光电耦合器一（U1）的发射极。

3.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于：所述的稳压二极管二（T1）为可编程稳压管TL431，并且稳压二极管二（T1）的R脚分别连接电容一（C1）的另一端、电阻一（R1）的另一端及电阻二（R2）的另一端。

4.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于：所述的二极管一（D1）与二极管二（D2）之间连接Ua电压。

5.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于：所述的二极管三（D3）与二极管四（D4）之间连接Ub电压。

6.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于：所述的二极管五（D5）与二极管六（D6）之间连接Uc电压。

7.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于：所述的电容三（C3）为电解电容。

8.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于：所述的光电耦合器一（U1）及光电耦合器二（U2）的型号为 PC817。

9.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于：所述的功率管（T9）的型号为 2N7002K。

10.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于：所述的接触器（J1）的型号为 LC1-D2510。