[实用新型]一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器

权利要求书

1.一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，其特征在于，包括高强度磁场单芯片参考桥式X轴磁电阻传感器、校准线圈和/或重置线圈；

所述高强度磁场单芯片参考桥式X轴磁电阻传感器包括位于衬底之上交错排列的参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串，以及长条形软磁通量引导器，所述软磁通量引导器包括屏蔽器和衰减器，所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串分别位于所述屏蔽器和所述衰减器表面的Y轴中心线位置，所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串电连接成参考桥式结构，敏感方向为X轴方向，所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串均包括多个磁电阻单元；

所述校准线圈为平面线圈，包括平行且串联连接的分别对应于所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串的参考直导线和敏感直导线，所述参考直导线和所述敏感直导线分别在所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串位置处沿磁电阻传感单元敏感方向产生参考校准磁场和敏感校准磁场；

所述重置线圈包括多个垂直于所述敏感磁电阻传感单元串和参考磁电阻传感单元串的重置直导线，并在所有磁电阻传感单元串处沿垂直于敏感方向产生相同重置磁场。

2.根据权利要求1所述的一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，其特征在于，所述校准线圈的敏感直导线为长条形，宽度为Lx1，其相对于所述衰减器的Y轴中心线对称；所述校准线圈的每一段参考直导线包括两个并联连接的子直导线，所述子直导线为长条形，宽度为Lx2，所述两个子直导线对称分布于所述参考磁电阻传感单元串的两侧，且Lx2小于Lx1，所述参考直导线和所述敏感直导线串联连接。

3.根据权利要求1所述的一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，其特征在于，所述校准线圈的敏感直导线为长条形，宽度为Lx1，其相对于所述衰减器的Y轴中心线对称；所述参考直导线为长条形，宽度为Lx2，其相对于所述屏蔽器的Y轴中心线对称，且Lx1小于Lx2，所述参考直导线和所述敏感直导线串联连接。

4.根据权利要求1所述的一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，其特征在于，所述校准线圈的参考直导线和敏感直导线都位于相邻所述屏蔽器和衰减器之间的间隙处，其中，所述参考直导线位于靠近所述屏蔽器的一侧，所述敏感直导线位于靠近所述衰减器的一侧，所述敏感直导线和所述参考直导线均为长条形，宽度分别为Lx1和Lx2，其中Lx1小于Lx2，所述参考直导线和所述敏感直导线串联连接。

5.根据权利要求2-4中任意一项所述的一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，其特征在于，所述敏感校准磁场和参考校准磁场比率大于等于X轴外加磁场在所述敏感磁电阻传感单元串和参考磁电阻传感单元串处的沿敏感方向的磁场比率。

6.根据权利要求2或3所述的一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，其特征在于，所述校准线圈位于所述衬底之上、所述磁电阻传感单元之下，或者位于所述磁电阻传感单元和所述软磁通量引导器之间，或者位于所述软磁通量引导器之上。

7.根据权利要求4所述的一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，其特征在于，所述校准线圈位于所述衬底之上、所述磁电阻传感单元之下，或者位于所述磁电阻传感单元和所述软磁通量引导器之间，或者位于所述磁电阻传感单元之上且处于所述软磁通量引导器的屏蔽器和衰减器之间的间隙处。

8.根据权利要求1所述的一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，其特征在于，所述重置线圈为平面重置线圈，所述重置直导线位于所述磁电阻传感单元阵列的沿所述X轴方向排列的磁电阻传感单元行的正上方或者正下方。

9.根据权利要求1所述的一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器，其特征在于，所述重置线圈为三维重置线圈，包含垂直于所述Y轴中心线的顶层直导线和底层直导线，所述顶层直导线和底层直导线串联形成三维线圈，所述三维线圈缠绕所述软磁通量引导器以及所述磁电阻传感单元，所述顶层直导线之间以及底层直导线之间分别以相同间隔排列在所述软磁通量引导器和磁电阻传感单元的表面。