[实用新型]一种电子负载MOS管防浪涌电路有效
| 申请号： | 201520074157.9 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN204597466U | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 魏晨光;吴涛;黄明雄;石利军 | 申请（专利权）人： | 深圳市中科源电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 曾少丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子负载 mos 浪涌 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子负载MOS管防浪涌电路，其特征在于，包括MOS管、二极管和被测电源，在所述MOS管的漏极加一个第一电压，所述第一电压与被测电源通过所述二极管进行隔离，所述第一电压大于或等于所述被测电源的电压；还包括限流电阻，所述MOS管的漏极通过所述限流电阻加入所述第一电压，所述MOS管的漏极还通过所述二极管与所述被测电源连接。
2.根据权利要求1所述的电子负载MOS管防浪涌电路，其特征在于，所述MOS管的漏极与所述二极管的阴极连接，所述二极管的阳极与所述被测电源的正极连接，所述MOS管的源极与所述被测电源的负极连接。
3.根据权利要求2所述的电子负载MOS管防浪涌电路，其特征在于，所述MOS管为N沟道MOS管。
4.根据权利要求3所述的电子负载MOS管防浪涌电路，其特征在于，还包括控制电路，所述控制电路与所述MOS管的栅极连接、用于控制所述MOS管的导通程度。
5.根据权利要求4所述的电子负载MOS管防浪涌电路，其特征在于，所述第一电压为400V。
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