[发明专利]OLED显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种OLED显示器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板上形成有源极、漏极及沟道；

在所述基板上形成第一栅绝缘层；

在所述第一栅绝缘层上形成第一栅极；

以所述第一栅极为掩膜，刻蚀所述第一栅绝缘层；

在所述第一栅极上形成第二栅绝缘层；及

在所述第二栅绝缘层上形成第二栅极；

其中，所述第一栅极至沟道的距离与所述第二栅极至沟道的距离不同，所述第一栅极和所述第二栅极对应于不同的晶体管；所述第二栅绝缘层的厚度比所述第一栅绝缘层的厚度小。

2.如权利要求1所述的OLED显示器的制造方法，其特征在于，所述第一栅绝缘层包括形成于所述基板上的第一氧化硅层以及形成于所述第一氧化硅层上的第一氮化硅层。

3.如权利要求2所述的OLED显示器的制造方法，其特征在于，以所述第一栅极为掩膜，刻蚀所述第一栅绝缘层中仅对所述第一氮化硅层进行刻蚀。

4.如权利要求2所述的OLED显示器的制造方法，其特征在于，以所述第一栅极为掩膜，刻蚀所述第一栅绝缘层中对所述第一氮化硅层和第一氧化硅层均进行刻蚀。

5.如权利要求1～4中任一项所述的OLED显示器的制造方法，其特征在于，所述第一栅极为像素区域中的栅极，所述第二栅极为周边电路区域中的栅极。

6.如权利要求1～4中任一项所述的OLED显示器的制造方法，其特征在于，所述第一栅极为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极，所述第二栅极为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极。

7.如权利要求1～4中任一项所述的OLED显示器的制造方法，其特征在于，所述第二栅绝缘层包括第二氮化硅层。

8.如权利要求1～4中任一项所述的OLED显示器的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第二栅极上形成层间介质层。

9.如权利要求8所述的OLED显示器的制造方法，其特征在于，还包括：在所述层间介质层上依次形成阳极、有机发光层及阴极。