[发明专利]一种高温铂电阻封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201511029261.7 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105651411B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘玺;程振乾;刘洋;文吉延;姜国光;周明军;王世清 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18;H01C1/024;H01C7/00;H01C17/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铂电阻 封装结构 烧结 铂浆 制备 高温保护层 高温环境 测量 测量精度高 安装焊盘 背面焊盘 倒角处理 电阻封装 高温玻璃 连接电阻 温度测量 正面焊盘 制备工艺 铂导线 陶瓷片 焊盘 浆料 焊接 节约 | ||
1.一种高温铂电阻封装结构，其特征在于它包括基片(6)、铂电阻(8)和高温保护层(7)；所述基片(6)包含有陶瓷片(1)、铂导线(4)、铂电阻安装焊盘(5)、正面焊盘(2)、背面焊盘(3)；所述铂电阻(8)安装于基片(6)一端，铂电阻(8)与基片(6)上的铂电阻安装焊盘(5)依靠铂浆烧结连接；
所述的高温铂电阻封装结构的制备方法，它按以下步骤实现：
一、在陶瓷片(1)的一侧上印刷或涂覆铂浆，经烧结后形成铂导线(4)与铂电阻安装焊盘(5)，再依次印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆，并分别烧结后形成正面焊盘(2)；
二、在上述陶瓷片(1)的另一侧上依次印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆，并分别烧结后形成背面焊盘(3)；
三、将铂电阻(8)安装于基片(6)的一端，铂电阻(8)与基片(6)上的铂电阻安装焊盘(5)连接，是通过铂浆烧结连接；
四、在铂电阻(8)与铂导线(4)均涂覆高温玻璃浆料，经烧结后形成高温保护层(7)；
五、在倒角机上对基片(6)进行倒角处理，形成高温铂电阻封装结构。
2.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于所述陶瓷片(1)为氧化铝陶瓷或氧化锆陶瓷。
3.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于所述高温保护层(7)是由高温玻璃浆料经烧结后形成。
4.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于所述正面焊盘(2)与背面焊盘(3)均为梯度结构。
5.根据权利要求4所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于所述梯度结构是由铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆经烧结后形成。
6.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于步骤一、二、三和四中烧结温度均为850～1350℃。
7.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于步骤一中印刷或涂覆铂浆的厚度为10～30μm。
8.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于步骤一中印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆的总厚度为20～60μm。
9.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于步骤四中涂覆高温玻璃浆料的厚度为100～500μm。
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