[发明专利]玻璃基板、触控显示屏及触控压力计算方法

权利要求书

1.一种玻璃基板，其特征在于，包括至少两个半导体压力传感器、偏置电压施加电路和电压检测电路；

所述偏置电压施加电路分别与所述半导体压力传感器的第一连接端和第二连接端电连接，用于向所述半导体压力传感器施加偏置电压，所述电压检测电路分别与所述半导体压力传感器的第三连接端和第四连接端电连接，用于获取所述半导体压力传感器的应变电压，所述第一连接端和所述第二连接端所在的第一直线与所述第三连接端和所述第四连接端所在的第二直线相交；

所述半导体压力传感器为至少包括四个边的多边形结构；所述半导体压力传感器为非晶硅材料膜或多晶硅材料膜制成；

所述玻璃基板为阵列基板；

所述阵列基板的显示区域设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层与所述半导体压力传感器在同一膜层。

2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，所述偏置电压施加电路包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一连接端电连接，所述第二电极与所述第二连接端电连接，所述电压检测电路包括第三电极和第四电极，所述第三电极与所述第三连接端电连接，所述第四电极与所述第四连接端电连接，所述第一电极和所述第二电极用于向所述半导体压力传感器施加所述偏置电压，所述第三电极和所述第四电极用于获取所述半导体压力传感器的所述应变电压。

3.根据权利要求2所述的玻璃基板，其特征在于，所述连接端分别设置于所述多边形结构的一个边上。

4.根据权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，所述第一直线与所述第二直线正交。

5.根据权利要求2所述的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述至少两个半导体压力传感器设置在所述非显示区域内。

6.根据权利要求5所述的玻璃基板，其特征在于，所述显示区域为矩形，所述显示区域四个边外侧均设置有所述半导体压力传感器。

7.根据权利要求5所述的玻璃基板，其特征在于，与所述半导体压力传感器相邻的所述玻璃基板边缘与所述第一直线的夹角为10°～80°。

8.根据权利要求5所述的玻璃基板，其特征在于，所述电压检测电路还包括设置在所述玻璃基板的非显示区的减法电路，所述减法电路的第一输入端与所述第三电极电连接，所述减法电路的第二输入端与所述第四电极电连接，用于获取所述半导体压力传感器的应变电压差。

9.根据权利要求8所述的玻璃基板，其特征在于，所述减法电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和运算放大器，所述第一电阻的第一端与所述第三电极电连接，所述第一电阻的第二端分别与所述运算放大器的反相输入端和所述第二电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端与所述运算放大器的输出端电连接，所述第三电阻的第一端与所述第四电极电连接，所述第三电阻的第二端与所述运算放大器的正相输入端和所述第四电阻的第一端电连接，所述第四电阻的第二端接地。

10.根据权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，所述半导体压力传感器由多晶硅材料膜制成时，所述多晶硅材料膜的厚度为10nm～200nm。

11.根据权利要求10所述的玻璃基板，其特征在于，所述多晶硅材料膜的面掺杂浓度为10¹⁰/cm²～10¹⁵/cm²。

12.根据权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，所述半导体压力传感器为P型掺杂或N型掺杂。

13.根据权利要求2所述的玻璃基板，其特征在于，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极为非晶硅材料膜制成，或者所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极为多晶硅材料膜制成，且均与所述半导体压力传感器的掺杂类型相同。