[发明专利]用于热辅助磁记录的近场换能器退火

权利要求书

1.一种磁性记录头，包括：

写入元件，包括磁写入磁极和近场光学换能器；和

导热电绝缘材料层，接触所述近场光学换能器。

2.如权利要求1所述的磁性记录头，其中，所述近场光学换能器包括位于 介质面向表面的金属天线，以及其中所述导热电绝缘材料层接触所述近场光 学换能器。

3.如权利要求1所述的磁性记录头，其中，所述导热电绝缘材料包括SiC。

4.如权利要求1所述的磁性记录头，其中，所述近场光学换能器包括金属 天线，所述磁性记录头还包括波导材料，所述波导材料至少部分地由与所述 近场光学换能器连接的包覆材料围绕，和其中所述导热电绝缘材料层接触所 述包覆材料的一部分。

5.如权利要求1所述的磁性记录头，其中，所述近场光学换能器包括具有 前缘的金属天线，和其中所述导热电绝缘材料层接触所述金属天线的前缘。

6.如权利要求5所述的磁性记录头，其中，所述金属天线包括Au。

7.如权利要求5所述的磁性记录头，其中，所述金属天线包括Au合金。

8.如权利要求1所述的磁性记录头，其中，所述导热电绝缘材料层的热导 率大于氧化铝的热导率。

9.如权利要求1所述的磁性记录头，其中，所述导热电绝缘材料层具有至 少与SiC一样大的热导率。

10.一种用于制造磁性记录头的方法，包括：

形成读取元件；

在所述读取元件之上形成写入元件，所述写入元件的形成还包括：形成 加热元件；在所述加热元件之上形成导热电绝缘材料层；以及在所述导热电 绝缘材料层之上形成具有金属天线的近场光学换能器。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述导热电绝缘材料层包括SiC。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述导热电绝缘材料层将所述加热 元件与所述天线完全分隔开。

13.如权利要求10所述的方法，其中，介质面向表面平面定义在所述介质 面向表面平面的一侧的瑟夫区域以及在所述介质面向表面平面的另一侧的 有源区，其中所述加热元件完全位于所述瑟夫区域内。

14.如权利要求13所述的方法，其中，介质面向表面平面定义在所述介质 面向表面平面的一侧的瑟夫区域以及在所述介质面向表面平面的另一侧的 有源区，其中所述加热元件完全位于所述瑟夫区域内，以及所述导热电绝缘 层位于所述瑟夫区域内并且还延伸到所述有源区域中。

15.如权利要求10所述的方法，其中，介质面向表面平面定义在所述介质 面向表面平面的一侧的瑟夫区域，以及在所述介质面向表面平面的另一侧的 有源区，其中所述加热元件完全位于所述瑟夫区域内，并且还包括与所述加 热元件连接的电导线，所述电导线完全位于所述瑟夫区域内。

16.如权利要求10所述的方法，其中，介质面向表面平面定义在所述介质 面向表面平面的一侧的瑟夫区域，以及在所述介质面向表面平面的另一侧的 有源区，其中所述加热元件完全位于所述瑟夫区域内，并且还包括电连接垫 和电连接所述电连接垫与所述加热元件的电导线，并且其中所述电连接垫和 所述电导线完全位于所述瑟夫区域内。

17.如权利要求10所述的方法，还包括：在形成所述读取和写入元件之后， 供给电流到所述加热元件以加热所述天线到至少与所述近场光学换能器的 工作温度一样高的温度。

18.如权利要求17所述的方法，还包括：在供给电流到所述加热元件以加 热所述天线到至少与所述近场光学换能器的工作温度一样高的温度之后，执 行充分地除去所述加热元件的抛光操作。

19.如权利要求10所述的方法，其中，所述天线为金或金合金。

20.一种磁数据记录系统，包括：

外壳；

安装在所述外壳内的磁介质；

在所述外壳内形成的磁性记录头，所述磁性记录头与致动器连接，用于 相对于所述磁介质的表面移动所述磁性记录头；其中所述磁性记录头还包 括：

读取元件；和

写入元件，包括磁写入磁极和近场光学换能器；和

接触所述近场光学换能器的导热电绝缘材料层。