[发明专利]自供电和电池辅助的CMOS无线生物传感IC平台有效
| 申请号: | 201510922914.8 | 申请日: | 2015-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN105405842B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
| 发明(设计)人: | 温皓明;梁思荣;游学武;蔡光杰 | 申请(专利权)人: | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/04;G01N33/48;G01N27/00 |
| 代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
| 地址: | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 供电 电池 辅助 cmos 无线 生物 传感 ic 平台 | ||
本发明公开了一种可自动配置的生物传感处理器芯片,其可以支持各种生物传感器。连接有生物受体用作特定生物分子的纳米线、ECG和SPO2生物传感器驱动模拟电压或电流到生物传感处理器芯片的模拟输入。这些模拟输入被分成三组。输入传感检测器/解码器检测到哪些模拟输入是有效的,并配置模数转换器,将第一组输入转换成12数字位,将第二组输入转换成16数字位,以及将第三组输入转换成20数字位。模拟前端绕过第一组输入,但是放大和滤波第二和第三组输入。通用异步收发器使用NFC或Wifi发射器发送被转换的数字值到一个靠近的外部设备。当检测到没有电池时,从来自外部设备的NFC信号中收集能量,进行单次测量。
技术领域
本发明涉及可穿戴计算,特别涉及可配置的生物传感芯片。
背景技术
半导体技术的发展,已经使一个非常大的、复杂的计算系统集成到一个非常小的集成电路(IC)上成为可能。随着功耗的减少,电源电压也有所降低,从而使这些IC可以由电池供电,甚至通过从附近的发射源(如近场通信(NFC)或射频识别(RFID)发射器)收集能量而自供电。
可以使用RF信号的感应耦合来收集能量。RFID标签和读写器之间的距离(范围)被限制为约3米。近场通信(NFC)设备则特意限制至20厘米以提高安全性。用户需要将他们的具有NFC功能的设备(如智能手机)几乎触碰到NFC读取器来验证NFC交易。
最近,已经开发出蓝牙低功耗(BLE)标签,以及蓝牙4.0协议。和无源RFID标签不同,BLE标签会由一个低能量源供电。苹果公司已经进一步增强BLE标签来创建iBeacon。iBeacon是使用低能量源(诸如电池)供电的,因此有足够的能量而周期性地或连续地广播一个信息包到附近设备。范围可以大到100米,但可以通过降低广播功率而减小范围。广播信息包从iBeacon/BLE标签推送到附近设备,而无源RFID标签则通过由RFID读取器供电以读出数据。RFID、BLE和NFC可以共存,因为每个都各有优点和缺点,适合不同的应用。
设备的缩小化和能源的高效率已经使可穿戴计算成为可能。集成电路装置可通过胶带穿在衣物内或附着在人的皮肤上。有些是可丢弃性的,因为使用卫生。各种生物传感器可附连到集成电路上,使得人的各种生理指标可以随时被检测到,如心率、体温、和呼吸。化学传感器可以检测特定的生化指标,如DNA标记、血糖、或各种气体。有些传感器是一次性的,当靠近射频发射器时,做一次性测量,没有电池供电。有些传感器则因为电池供电可以连续工作。有些使用NFC,有些则使用RFID或BLE通信标准。
图1显示纳米线(nano-wire)生物传感器。纳米技术已经应用于特定的生物传感器。由半导体制造工艺在硅衬底102上制成纳米线110。二氧化硅(玻璃)层104和氮化硅Si3N4层106生长或沉积在硅衬底102上。
纳米线110可以是薄的多晶硅层,连接于源极114和漏极112之间。壁116上有一个开口给纳米线110,以允许周围的化学物诸如分析物(analytes)120接触到纳米线110。化学受体(Chemical receptors)118被键合到纳米线110上。当分析物120键合到受体118上时,电子移出或移入纳米线110,从而减少或增加纳米线110内的自由载流子。当分析物120与受体118键合时,纳米线110的有效电阻因而改变。这种键合可以是弱化学键或其它种类的物理接合,当漏极112和源极114之间有电流时,分析物120出现时的电阻变化可被测量出来。硅衬底102充当栅极,用以偏压纳米线110。
通过选择化学受体118,纳米传感器130可以感测各种特定的化学物,包括大分子生化(large bio-chemicals)。可以将四条纳米线110布置成电源和地之间的桥式网络,从中间节点有两个差分传感器输出。桥式网络中四条纳米线的其中两条可以暴露于环境及任何分析物120,而另两条纳米线则被密封并防止暴露于分析物120。这种桥式纳米线网络是特别敏感的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





