[发明专利]一种超高频射频接收前端电路

权利要求书

1.一种超高频射频接收前端电路，其特征是：所述的射频接收前端电路由新型低噪声放大器、新型900MHz下混频器电路构成。

2.根据权利要求1所述的一种超高频射频接收前端电路，其特征是：所述超高频RFID射频接收机中的射频信号经过天线、TR(传送/接收)开关和带通滤波器(BPF)后，通过低噪声放大器对信号进行放大，再通过第二级放大器进一步提高增益，然后射频信号进入混频器后降到低频信号，最后经过滤波器得到想要的基频信号。

3.根据权利要求1所述的一种超高频射频接收前端电路，其特征是：所述的低噪声放大器主要由M4-M7管组成的共源共栅差分对管实现放大。

4.根据权利要求1所述的一种超高频射频接收前端电路，其特征是：所述低噪声放大器采用了二阶交调电流注入的方法来提高线性度。

5. 根据权利要求1所述的一种超高频射频接收前端电路，其特征是：所述低噪声放大器电路中，M1、M2构成二阶交调注入结构，M3主要是由有源器件的非线性I-V特性所产生。

6.根据权利要求1所述的一种超高频射频接收前端电路，其特征是：所述低噪声放大器电路中，在LNA的输出端连接有四组开关电容，每组开关电容由一个电容和一个NMOS管组成，分别为B0，B1，B2和B3，通过控制NMOS管使其导通和截止。

7.根据权利要求1所述的一种超高频射频接收前端电路，其特征是：所述下混频器电路中，M4和MS组成跨导级，M6,M7, M8和M9为开关级，R1和R2为输出级，M1和M2为二阶交调注入结构。

8.根据权利要求1所述的一种超高频射频接收前端电路，其特征是：所述下混频器电路中，MP1,MP2和MP3组成动态电流注入结构，输入端采用了二阶交调电流注入结构以提高线性度，在输出端采用动态电流注入结构以降低噪声。