[发明专利]提高背照式红外图像传感器性能的方法

权利要求书

1.一种提高背照式红外图像传感器性能的方法，其特征在于，所述方法包括：

光线照射至背照式红外图像传感器；

背照式红外图像传感器具有深度大于等于10微米的半导体层适于吸收光线中的近红外光线；

所述背照式红外图像传感器包括：深度大于等于10微米的背面深沟槽隔离结构；所述背面深沟槽隔离结构包括填充其内的导电材质及导电材质外部的介质层；提供负压于导电材质，使靠近背面深沟槽隔离结构的半导体区域侧向耗尽,降低暗电流；

对应于背面深沟槽隔离结构的浅沟槽隔离结构及形成于背面深沟槽隔离结构的浅沟槽隔离结构之间的隔离阱区域。

2.根据权利要求1所述的提高背照式红外图像传感器性能的方法,其特征在于,所述侧向耗尽为:于靠近背面深沟槽隔离结构的半导体区域形成空穴积累层。

3.根据权利要求1所述的提高背照式红外图像传感器性能的方法，其特征在于，还包括：提供负压于导电材质，使得具有固定电势负电荷的薄膜在半导体背面形成空穴积累层，降低暗电流。

4.根据权利要求1所述的提高背照式红外图像传感器性能的方法，其特征在于，所述背面深沟槽隔离结构对入射角度小于等于a的光线形成全反射,可较大程度的避免入射光线进入周围像素单元，降低光线串扰。

5.根据权利要求4所述的提高背照式红外图像传感器性能的方法，其特征在于，所述a＝arcsin(n1/n2),其中，n1为半导体材质的折射率，n2为介质层的折射率。

6.根据权利要求1所述的提高背照式红外图像传感器性能的方法，其特征在于，所述背面深沟槽隔离结构使形成的光电荷积聚于光电二极管区域，形成物理隔离,可降低光电荷转移至周围像素单元可能性，提高远景成像的清晰度。