[发明专利]电子照相用导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备在审
| 申请号: | 201510847582.1 | 申请日: | 2015-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN105652621A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
| 发明(设计)人: | 西冈悟;山内一浩;山内健一;益启贵;铃村典子 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | G03G15/02 | 分类号: | G03G15/02;G03G15/08;G03G15/16 |
| 代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
| 地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 照相 导电性 构件 处理 图像 形成 设备 | ||
技术领域
本发明涉及导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备。
背景技术
电子照相图像形成设备中,使用如充电构件、显影构件和转印构件等电子照相用 导电性构件。
在充电辊的情况下,需要充电构件具有使如感光构件等被充电体均匀带电的能 力。
近几年,已经要求电子照相图像的图像品质的进一步改进,和电子照相图像形成 设备更高的处理速度和更高的耐久性。因此,即使在迄今没有问题产生的水平下感光构件 的带电不均匀也可以引起图像缺陷。
特别是,近几年,从使图像形成设备简化和除去废弃物的观点,提出了在电子照相 图像形成设备中采用无清洁器系统(调色剂回收系统)的提议。
在该系统中,除去用作转印步骤后的清洁单元的鼓式清洁器,并且转印后在感光 构件上的转印残余调色剂通过显影设备在显影的同时而清除,从而从感光构件去除转印残 余调色剂并且使显影设备回收转印残余调色剂。
涉及在显影的同时清除感光构件上的转印残余调色剂的方法为涉及在进行下一 步骤的形成电子照相图像之前的感光构件上的静电潜像显影期间,通过使用除雾偏压,即, 作为施加至显影设备的直流电压与图像承载构件的表面电位之间的电位差的除雾电压差 (Vback),回收感光构件上的转印残余调色剂的方法。
在该方面,当接触充电系统的充电构件施用于无清洁器系统时,充电构件表面的 污染物的附着在一些情况下变得更显著。为了解决此类问题,提出其中在充电构件与感光 构件之间设置圆周速度差并且通过充电构件使转印残余调色剂摩擦带电,结果是转印残余 调色剂难以静电地迁移至充电构件的表面的系统。然而,充电构件与感光构件之间的圆周 速度差的设置可以通过充电构件增加感光构件的注入带电,结果是感光构件上可能容易地 发生带电不均匀。
在该方面,为了减少由充电构件引起的感光构件的注入带电,在日本专利申请特 开No.2010-72405中,提出将疏水性表面活性剂添加至充电辊的表面层。
另外,在日本专利申请特开No.H05-323762中,提出由两层,特别是,绝缘层和导电 层形成的充电板。
根据由本发明的发明人进行的研究,当如日本专利申请特开No.2010-72405中,将 疏水性表面活性剂添加至充电辊的表面层时,在图像输出的初始阶段获得对感光构件的注 入带电的效果,但注入带电-抑制效果随着进行图像输出的张数的增加而消失。认为其原因 如下所述。疏水性表面活性剂取向至充电辊表面层的最外表面,从而抑制注入带电。然而, 随着进行图像输出的张数的增加,充电辊表面层的最外表面的疏水性表面活性剂可能迁移 至与其接触的的感光构件,或者疏水性表面活性剂可能通过放电而分解,导致注入带电-抑 制效果消失。另外,由于添加至充电辊表面层的少量的疏水性表面活性剂,使得表面层的粘 结剂显著影响感光构件的注入带电,因此限制可以用于表面层的粘结剂。
另外,根据由本发明的发明人进行的研究,当使用日本专利申请特开No.H05- 323762的充电板时,可以抑制感光构件的注入带电。然而,通过使充电板和感光构件彼此接 触形成的其中放电发生的微小间隙区域,由于感光构件的膜厚度不均匀或者例如,感光构 件上残留的外部添加剂或调色剂等的粉末而易于变化。因此,当微小间隙区域变化时,放电 区域变化,导致电位转移的容易性变化。结果,感光构件易于具有由于放电不均匀导致的电 位不均匀。
鉴于上述,本发明的目的是提供一种能够使被充电体更均匀地带电的电子照相用 导电性构件。本发明的另一目的是提供能够长期稳定地形成高品质电子照相图像的处理盒 和电子照相图像形成设备。
发明内容
本发明的发明人为了实现上述目的进行了广泛的研究。结果,发明人发现上述目 的可以通过以下来实现:将包含特定结构并且控制为具有特定体积电阻率的聚氨酯树脂引 入至导电性构件的表面层中,并且使表面层的硬度优化。
根据本发明的一个实施方案,提供一种电子照相用导电性构件,其依次包括:
导电性基体;导电性弹性层;和表面层,
其中表面层
具有1.0×1010Ω·cm以上且1.0×1016Ω·cm以下的体积电阻率,
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