[发明专利]摄像装置

说明书

一种摄像装置，具备：单位像素单元，包括对入射光进行光电变换并生成电信号的光电变换部、检测电信号的信号检测电路及将第1电容和电容值比其大的第2电容串联的电容电路；及反馈电路，形成使电信号负反馈的反馈路径；光电变换部具有光电变换膜、光电变换膜的受光面侧的第1电极及与第1电极相反侧的面的第2电极；信号检测电路包括栅极连接于第2电极、将与第2电极的电位相应的信号电压放大并输出的第1晶体管、和源极及漏极的一方连接于第2电极的第2晶体管；反馈电路在反馈路径的一部分中包含第1晶体管及反向放大器，使电信号经由第1晶体管及反向放大器向第2晶体管的源极及漏极的另一方负反馈；电容电路设置在第2电极与基准电位之间。

技术领域

本申请涉及摄像装置。本申请特别涉及具有包括层叠在半导体基板上的光电变换膜的光电变换部的摄像装置。

背景技术

作为MOS(Metal Oxide Semiconductor)型的摄像装置提出了层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，在半导体基板的最表面层叠光电变换膜，将在光电变换膜内通过光电变换产生的电荷向电荷蓄积区域(称作“浮置扩散区”)蓄积。摄像装置在半导体基板内使用CCD(Charge Coupled Device)电路或CMOS(Complementary MOS)电路将该蓄积的电荷读出。例如专利文献1公开了这样的摄像装置。

专利文献1：特开2009－164604号公报

专利文献2：特开2011－228621号公报

发明内容

在摄像装置的领域中，有噪声降低的要求。特别是，有想要将复位时发生的kTC噪声(也称作“复位噪声”)降低的要求。

根据本申请的非限定性的某个例示性的实施方式，提供以下技术方案。

一种摄像装置，具备：单位像素单元，包括对入射光进行光电变换并生成电信号的光电变换部、检测上述电信号的信号检测电路、以及将第1电容和电容值比上述第1电容大的第2电容串联连接而成的电容电路；以及反馈电路，形成使上述电信号负反馈的反馈路径；上述光电变换部具有光电变换膜、形成于上述光电变换膜的受光面侧的第1电极、以及形成于上述光电变换膜的与上述第1电极相反侧的面的第2电极；上述信号检测电路包括第1晶体管和第2晶体管，上述第1晶体管的栅极连接于上述第2电极，上述第1晶体管将与上述第2电极的电位相应的信号电压进行放大并输出，上述第2晶体管的源极及漏极中的一方连接于上述第2电极；上述反馈电路在上述反馈路径的一部分中包含上述第1晶体管及反向放大器，使上述电信号经由上述第1晶体管及上述反向放大器向上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方负反馈；上述电容电路设置在上述第2电极与基准电位之间。

另一种摄像装置，具备：单位像素单元，包括对入射光进行光电变换并生成电信号的光电变换部、检测上述电信号的信号检测电路、以及将第1电容和电容值比上述第1电容大的第2电容串联连接而成的电容电路；以及反馈电路，形成使上述电信号负反馈的反馈路径；上述光电变换部具有光电变换膜、形成于上述光电变换膜的受光面侧的第1电极、以及形成于上述光电变换膜的与上述第1电极相反侧的面的第2电极；上述信号检测电路包括第1晶体管和第2晶体管，上述第1晶体管将与上述第2电极的电位相应的信号电压进行放大并输出，上述第2晶体管的源极及漏极中的一方连接于上述第2电极；上述第1电容连接在上述第2晶体管的上述源极与上述漏极之间；上述反馈电路使上述电信号向上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方负反馈；上述电容电路设置在上述第2电极与基准电位之间。

另外，包括性或具体的形态也可以通过元件、器件、系统、集成电路及方法实现。此外，包括性或具体的形态也可以通过元件、器件、系统、集成电路及方法的任意的组合实现。

所公开的实施方式的追加性的效果及优点根据说明书及附图会变得清楚。效果及/或优点由说明书及附图所公开的各种实施方式或特征分别提供，不是为了得到它们的1个以上而需要全部。

发明效果