[发明专利]一种Nand Flash参数的读取方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种NandFlash参数的读取方法。

背景技术

NandFlash作为一种低价、大容量的存储设备，在嵌入式系统中使用越来越广泛。不同的型号的NandFlash有着不同的页面大小、块大小、空闲区域大小，而且不同的NandFlash对ECC校验强度也不相同，在不支持ONFI(OpenNandFlashInterface)标准协议的NandFlash芯片中，这些数据只能通过厂家提供的数据手册获得。

在使用NandFlash作为存储设备的嵌入式应用中，处理器复位后都会先执行一段固化在处理器芯片内部的名为ROMcode的代码，从NandFlash中读取代码到片内或者片外的RAM中，然后运行相应的程序。要从NandFlash中正确的读取代码，就必须先获取NandFlash页面大小、块大小等参数，而现有NandFlash参数配置只能通过编译时指定或者通过处理器的引脚配置选择，导致一段固化的代码无法正确操作不同类型的NandFlash，灵活性较差。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述现有技术的不足之处，提供一种NandFlash参数的读取方法。可以解决一段固化的代码无法正确操作不同类型的NandFlash的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种NandFlash参数的读取方法，该方法包括以下步骤：

发出NandFlash读取命令，读取多段NandFlash参数中的第一段NandFlash参数；多段NandFlash参数中的每段NandFlash参数相同；每段NandFlash参数包括第一部分数据和第二部分数据；对第一部分数据做第一次校验，如果第一次校验正确，则继续对第一部分数据做第二次校验；如果第二次校验正确，则根据第一部分数据中参数的值和程序设定的该参数的值进行比较；如果第一部分数据中参数的值和程序设定的该参数的值相同，则确定NandFlash参数读取成功。

优选地，第一次校验具体包括以下步骤：通过错误检查和纠正ECC算法对第一部分数据计算，做ECC校验，得到第一校验码；第一校验码与第二部分数据做比较；如果相同，则第一次校验正确，继续对第一部分数据做第二次校验。

优选地，第二次校验具体包括以下步骤：通过循环冗余校验码CRC算法对第一部分数据计算，做CRC校验，得到第二校验码；第二校验码与第一部分数据中的CRC校验码做比较；如果相同，则第二次校验正确，继续根据第一部分数据中参数的值和程序设定的该参数的值进行比较。

优选地，如果第一次校验不正确，则使用第二部分数据对第一部分数据进行ECC纠错；如果ECC纠错成功，则继续对第一部分数据做第二次校验。

优选地，如果ECC纠错不成功，则读取多段NandFlash参数中的下一段NandFlash参数，再次进行NandFlash参数读取。

优选地，如果第二次校验不正确，则读取多段NandFlash参数中的下一段NandFlash参数，再次进行NandFlash参数读取。

优选地，如果第一部分数据中参数的值和程序设定的该参数的值不相同，则读取多段NandFlash参数中的下一段NandFlash参数，再次进行NandFlash参数读取。

优选地，在发出NandFlash读取命令之前，还包括以下步骤：在对NandFlash编程时，在NandFlash第一地址开始的存储空间，连续存储多段相同字节的NandFlash参数。

优选地，第一部分数据包括厂家标记、页面大小、块大小、空闲区域大小、总容量、ECC强度和CRC校验码；第二部分数据包括ECC校验码；根据第一部分数据中的厂家标记和程序设定的值进行比较，如果厂家标记和程序设定的值相同，则确定NandFlash参数读取成功。

优选地，CRC校验码和ECC校验码是在对NandFlash编程时实时写入的。

本发明利用CRC校验和ECC检错/纠错技术，在不增加额外存储器和成本的前提下，实现了NandFlash参数的自动识别功能，适用于对成本敏感的应用场合，特别适用于处理器ROMcode的设计。

附图说明

为了更清楚说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种NandFlash参数的读取方法的参数结构示意图；