[发明专利]一种Nand Flash参数的读取方法在审
| 申请号: | 201510795123.3 | 申请日: | 2015-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN105280240A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
| 发明(设计)人: | 谢长武;卜弋天;庹凌云;刘方;李烨 | 申请(专利权)人: | 致象尔微电子科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人: | 陈霁 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 nand flash 参数 读取 方法 | ||
1.一种NandFlash参数的读取方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
发出NandFlash读取命令,读取多段NandFlash参数中的第一段NandFlash参数;所述多段NandFlash参数中的每段NandFlash参数相同;所述每段NandFlash参数包括第一部分数据和第二部分数据;
对所述第一部分数据做第一次校验,如果所述第一次校验正确,则继续对所述第一部分数据做第二次校验;
如果所述第二次校验正确,则根据所述第一部分数据中参数的值和程序设定的该参数的值进行比较;
如果所述第一部分数据中参数的值和程序设定的该参数的值相同,则确定所述NandFlash参数读取成功。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一次校验具体包括以下步骤:
通过错误检查和纠正ECC算法对第一部分数据计算,做ECC校验,得到第一校验码;
所述第一校验码与所述第二部分数据做比较;
如果相同,则所述第一次校验正确,继续对所述第一部分数据做第二次校验。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二次校验具体包括以下步骤:
通过循环冗余校验码CRC算法对第一部分数据计算,做CRC校验,得到第二校验码;
所述第二校验码与所述第一部分数据中的CRC校验码做比较;
如果相同,则所述第二次校验正确,继续根据所述第一部分数据中参数的值和程序设定的该参数的值进行比较。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,如果所述第一次校验不正确,则使用所述第二部分数据对第一部分数据进行ECC纠错;
如果所述ECC纠错成功,则继续对所述第一部分数据做第二次校验。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,如果所述ECC纠错不成功,则读取所述多段NandFlash参数中的下一段NandFlash参数,再次进行NandFlash参数读取。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,如果所述第二次校验不正确,则读取所述多段NandFlash参数中的下一段NandFlash参数,再次进行NandFlash参数读取。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,如果所述第一部分数据中参数的值和程序设定的该参数的值不相同,则读取所述多段NandFlash参数中的下一段NandFlash参数,再次进行NandFlash参数读取。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在发出NandFlash读取命令之前,还包括以下步骤:
在对NandFlash编程时,在NandFlash第一地址开始的存储空间,连续存储多段相同字节的NandFlash参数。
9.根据权利要求1—7中任一权利要求所述的方法,其特征在于,所述第一部分数据包括厂家标记、页面大小、块大小、空闲区域大小、总容量、ECC强度和CRC校验码;所述第二部分数据包括ECC校验码;
根据所述第一部分数据中的厂家标记和程序设定的值进行比较,如果所述厂家标记和程序设定的值相同,则确定所述NandFlash参数读取成功。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述CRC校验码和ECC校验码是在对NandFlash编程时实时写入的。
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