[发明专利]一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管

权利要求书

1.一种具有量子点p区结构的UV-LED，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底(101)，AlN成核层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源区(105)、Al_zGa_1-zN电子阻挡层(106)、GaN或者低Al组分的Al_qGa_1-qN量子点p型层(107)和氧化铟锡导电层(108)，其中z>y>x>q，在氧化铟锡导电层(108)上引出p型欧姆电极(109)，在n型AlGaN层(104)上引出n型欧姆电极(110)。

2.根据权利要求1所述的具有量子点p区结构的UV-LED，其特征为：所述衬底(101)为极性、半极性或非极性取向的蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化镓、氮化铝材料。

3.根据权利要求1所述的具有量子点p区结构的UV-LED，其特征为：所述AlN成核层(102)的厚度为15-50nm，非掺杂AlGaN缓冲层(103)的厚度为50-500nm，n型AlGaN层(104)的厚度为200-5000nm，Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源区(105)的Al_xGa_1-xN量子阱的阱宽为1-10nm，Al_yGa_1-yN势垒的垒厚为1-30nm，周期数为3-50，Al_zGa_1-zN电子阻挡层(106)的厚度为3-30nm，GaN或者低Al组分的Al_qGa_1-qN量子点p型层(107)的厚度为50-500nm。

4.根据权利要求1所述的具有量子点p区结构的UV-LED，其特征为：所述GaN或者低Al组分的Al_qGa_1-qN量子点p型层(107)中p型GaN或低Al组分的p型Al_qGa_1-qN量子点以自组装模式生长，并呈均匀分布。

5.根据权利要求1所述的具有量子点p区结构的UV-LED，其特征为：所述GaN或者低Al组分的Al_qGa_1-qN量子点p型层(107)中，p型GaN或低Al组分的p型Al_qGa_1-qN量子点的直径在0.5-5nm。

6.根据权利要求1所述的具有量子点p区结构的UV-LED，其特征为：在GaN或者低Al组分的Al_qGa_1-qN量子点p型层(107)中采用Mg进行掺杂，其中Mg的掺杂浓度介于1×10¹⁷至1×10²⁰cm^-3之间。