[发明专利]一种晶硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：对硅片进行双面抛光；

步骤二：在氮气气氛中对硅片激光制绒，同时将氮元素掺杂到硅片里形成一层N型硅；

步骤三：采用氢氟酸和盐酸的混合酸清洗硅片；

步骤四：在所述硅片正面进行PECVD镀膜，形成氮化硅减反膜；

步骤五：在硅片背面印刷背电极和铝背场；

步骤六：在硅片正面印刷正电极浆料形成正电极；

步骤七：对硅片进行烧结形成太阳能电池。

2.如权利要求1所述一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤一采用NaOH溶液对硅片双面抛光，NaOH溶液的浓度为10％-30％。

3.如权利要求1所述一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤二采用紫外激光在氮气气氛中对硅片正面制绒，同时形成一层N型硅。

4.如权利要求3所述一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氮气浓度为10kg/L-50kg/L，激光波长为355nm，激光功率为0.05W-10W，移动速度为100mm/s-1000mm/s,频率为10kHz-1000kHz。

5.如权利要求1所述一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤三采用氢氟酸和盐酸的混合酸清洗硅片，氢氟酸的浓度为2.5％-5％，盐酸的浓度为5％-10％。

6.如权利要求1所述一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤四采用PECVD的方法沉积氮化硅减反膜，氮化硅减反膜的折射率为2.0-2.5，厚度为50nm-100nm。

7.一种晶硅太阳能电池,其特征在于，其由权利要求1-6任一项所述的制备方法制得。