[发明专利]一种粗氧化物颗粒银基电接触材料的制备方法在审
| 申请号: | 201510745369.X | 申请日: | 2015-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN105374598A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
| 发明(设计)人: | 李杰;颜小芳;翁桅;柏小平;周龙;杨昌麟;张秀芳;林万焕 | 申请(专利权)人: | 福达合金材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01H11/04 | 分类号: | H01H11/04;H01H49/00;C22C5/06 |
| 代理公司: | 温州瓯越专利代理有限公司 33211 | 代理人: | 陈加利 |
| 地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化物 颗粒 银基电 接触 材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电工材料,具体是指一种粗氧化物颗粒银基电接触材料的制备方法。
背景技术
银氧化锡电接触材料为环保型材料,是非环保银氧化隔主要替代材料之一,广泛应用于工业、家电、汽车等继电器领域中。制备银氧化锡电接触材料的方法有内氧化法、雾化法、粉末冶金法、化学法等,其中雾化法是较为常用的制备方法之一。采用该方法制备的电接触材料氧化物颗粒细小、分布均匀,具有较好的抗磨损性能、稳定性等。
通过相关文献,检索到的采用雾化工艺制备的银氧化锡电接触材料的相关专利如下:
(1)专利CN102312119A,一种银氧化锡电接触材料的制备方法;
(2)专利CN103184384A,一种复合银氧化锡电接触材料的制备方法;
(3)专利CN103639232A,一种银氧化锡线材的制备方法。
专利(1)采用熔炼-雾化-压锭-挤压-拉拔(轧制)-氧化的方法制备银氧化锡电接触材料,触点材料成分均匀、稳定、无常规内氧化的中心贫氧化区、密度高、硬度高等特点。
专利(2)提供了一种复合银氧化锡电接触材料的制备方法,该方法包括Sn与添加元素混合→雾化成合金粉末→筛分→可控气氛旋转粉末氧化→成品,该方法适用于较细粒径氧化锡质点的银氧化锡电接触材料的制备,而且能够保证氧化锡质点及相关添加剂均匀分布在银基体中。
专利(3)通过Ag+添加物雾化制成Ag合金粉,然后与SnO2粉混合,经压锭、烧结、热挤压、拉拔加工得到成品丝材,由该方法制得的银氧化锡线材具有SnO2颗粒和微量添加剂分布更为均匀、材料加工性能优良、电性能稳定等优点。
但是,上述文献均未涉及到粗氧化物颗粒银基电接触材料的制备方法,本专利通过获得一定孔隙度的块坯,并配合一定的氧化工艺参数,获得粗氧化物颗粒,从而降低触点硬度、提高触点接触的稳定性以及改善抗电弧烧损性能。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足,而提供一种粗氧化物颗粒银基电接触材料的制备方法,通过上述方法获得的氧化物颗粒粗大的银氧化锡电接触材料,可以显著降低材料的硬度、提高触点材料接触的稳定性能以及改善触点材料的抗电弧烧损性能。
为实现上述目的,本发明的技术方案包括以下步骤:
步骤1:将银锭、锡锭、添加物放入中频熔炼炉熔炼,然后倒入中间浇包,通过高压水雾化制得AgSn粉体;
步骤2:将步骤1处理后的粉体,压成块坯,块坯的致密度60-80%;
步骤3:将步骤2的块坯在有氧环境下氧化,具体为:首先在空气条件下,温度500-650℃,氧化时间3-8h;然后,在氧压0.5-2Mpa、温度650-850℃,氧化5-10h;
步骤4:将步骤3的氧化后的块坯压锭;
步骤5:将步骤4处理后的锭子烧结、复压,然后热加工成丝材。
进一步设置是所述的银锭、锡锭、添加物的组分重量百分比为:Ag84-89%;Sn10-15%;余量为添加物。
进一步设置是所述的所述添加物为Co、V、Cr、Nb、Sb、Zn、Sr、Ti、La、Ir中的任意四种或任意四种以上。
进一步设置是所述步骤2中的压成块坯的块坯成型压力100-200MPa。
进一步设置是所述步骤4的压锭尺寸为Ф80-90mm,压力30-40MPa。烧结参数为800-850℃,保温5-10h。然后复压尺寸为Ф82-92mm,压力40-60MPa。
进一步设置是所述步骤5的挤压加热温度为830-900℃,保温时间5-8h,丝材直径2-4mm。
本发明的创新机理是:在常规雾化工艺中引入块坯压制步骤,通过调整块坯的致密度获得合适的孔隙度,并配合一定的氧化工艺参数,从而降低粉体氧化速度,使得氧化物能够充分形核长大,获得氧化物粗大的银氧化锡电接触材料。
本发明在制备粗氧化物颗粒的银氧化锡电接触材料中,关键步骤为粉体压成块坯及氧化,通过得到适当致密度块坯,在合适的有氧环境中氧化,区别于常规雾化工艺中雾化粉体直接在空气中氧化的步骤。
在常规AgSn粉体氧化过程中,AgSn合金粉体具有大的比表面积和化学活性以及较高的晶界体积分数,Sn和氧的扩散通过晶界与位错短路扩散通道进行,在粉体边缘形成富氧化物组织,由于氧化速度快,形成的氧化物细小、所获得的材料硬度高(约100HV-120HV)。
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