[发明专利]电可编程熔丝单元、阵列以及存储单元

权利要求书

1.一种电可编程熔丝单元，其特征在于，包括：

电可编程熔丝、第一二极管和第二二极管；

所述电可编程熔丝包括：第一端和第二端；

所述第一二极管的负极连接所述电可编程熔丝的第一端，所述第一二极管的正极连接写操作位线；所述第二二极管的负极连接所述电可编程熔丝的第一端，所述第二二极管的正极连接读操作位线；

其中，所述电可编程熔丝的第二端连接至共享N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET的漏极，所述共享NMOSFET的栅极连接字线，所述共享NMOSFET的源极接地。

2.根据权利要求1所述电可编程熔丝单元，其特征在于，还包括：

读操作MOSFET，设置在所述第二二极管与所述读操作位线之间；其中，所述读操作MOSFET的栅极连接读操作控制线。

3.根据权利要求2所述电可编程熔丝单元，其特征在于，

所述读操作MOSFET为读操作NMOSFET；

其中，所述读操作NMOSFET的源极连接所述第二二极管的正极，所述读操作NMOSFET的漏极连接所述读操作位线。

4.根据权利要求2所述电可编程熔丝单元，其特征在于，

所述读操作MOSFET为读操作PMOSFET；

其中，所述读操作PMOSFET的漏极连接所述第二二极管的正极，所述读操作PMOSFET的源极连接所述读操作位线。

5.一种电可编程熔丝单元阵列，其特征在于，包括：

n×m个如权利要求1至4任一所述电可编程熔丝单元和n个共享NMOSFET；n≥1，且为正整数；m≥1，且为正整数；

其中，第i行的电可编程熔丝单元的电可编程熔丝的第二端连接至第i个共享NMOSFET的漏极，所述第i个共享NMOSFET的栅极连接第i条字线，以及所述第i个共享NMOSFET的源极接地；1≤i≤n，且i为正整数；

第j列的电可编程熔丝单元的第一二极管的正极连接第j条写操作位线；1≤j≤m，且j为正整数。

6.一种存储单元，其特征在于，包括：

如权利要求5所述电可编程熔丝单元阵列、字线译码器、写操作位线译码器以及m个位线PMOSFET；

其中，所述字线译码器的第i个输出端通过字线连接第i个共享NMOSFET的栅极；第j个位线PMOSFET的漏极通过第j条写操作位线连接第j列的电可编程熔丝单元的第一二极管的正极，所述第j个位线PMOSFET的源极连接写操作电源，所述第j个位线PMOSFET的栅极连接至所述写操作位线译码器的第j个输出端。

7.根据权利要求6所述存储单元，其特征在于，

在各个电可编程熔丝单元的第二二极管与相应的读操作位线之间设置读操作MOSFET，所述读操作MOSFET的栅极连接读操作控制线；所述读操作位线连接读操作电源。

8.根据权利要求7所述存储单元，其特征在于，还包括：

读操作单元，其输出端连接对应的读操作控制线，通过所述对应的读操作控制线输出选通信号至对应的读操作MOSFET的栅极，以选通所述对应的读操作MOSFET。

9.一种电可编程熔丝单元，其特征在于，包括：

PNP型晶体管和电可编程熔丝；

所述电可编程熔丝包括：第一端和第二端；

所述PNP型晶体管包括：N型区域，以及分别邻接在所述N型区域两边的第一P型区域和第二P型区域；

所述N型区域连接所述电可编程熔丝的第一端，所述第一P型区域连接写操作位线，所述第二P型区域连接读操作位线；

其中，所述电可编程熔丝的第二端连接至共享NMOSFET的漏极，所述共享NMOSFET的栅极连接字线，所述共享NMOSFET的源极接地。

10.根据权利要求9所述电可编程熔丝单元，其特征在于，还包括：

读操作MOSFET，设置在所述PNP型晶体管的第二P型区域与所述读操作位线之间；其中，所述读操作MOSFET的栅极连接读操作控制线。