[发明专利]磁控溅射装置的靶材结构在审
| 申请号： | 201510719320.7 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105296947A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李金磊 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 结构 | ||
1.一种磁控溅射装置的靶材结构，设置在一靶座上，其特征在于：所述靶材结构包含：
一背板，包含：一前端面；一后端面，相对于所述前端面，并固定在所述靶座上；及一隆起部，形成在所述前端面上；
一靶材，包含：一冷却表面，设置在所述背板的前端面上；一溅射表面，相对于所述冷却表面；及一凹陷部，形成在所述冷却表面上，用以组合于所述隆起部；及
一粘合层，设置在所述背板的前端面及所述靶材的冷却表面之间。
2.如权利要求1所述的磁控溅射装置的靶材结构，其特征在于：所述隆起部的一截面形状及所述凹陷部的一截面形状皆为梯形。
3.如权利要求1所述的磁控溅射装置的靶材结构，其特征在于：所述隆起部的一几何中心、所述凹陷部的一几何中心及所述靶材的一几何中心相对齐。
4.如权利要求1所述的磁控溅射装置的靶材结构，其特征在于：所述隆起部的面积为所述冷却表面的面积的1/9至1/16。
5.如权利要求1所述的磁控溅射装置的靶材结构，其特征在于：所述粘合层的厚度为0.3至1.3毫米。
6.如权利要求1所述的磁控溅射装置的靶材结构，其特征在于：所述粘合层及所述背板为非导磁的金属材料。
7.如权利要求1所述的磁控溅射装置的靶材结构，其特征在于：所述隆起部与所述前端面的一周缘间隔有一第一距离，所述凹陷部与所述冷却表面的一周缘间隔有一第二距离。
8.如权利要求7所述的磁控溅射装置的靶材结构，其特征在于：所述第一距离大于所述第二距离。
9.如权利要求1所述的磁控溅射装置的靶材结构，其特征在于：所述靶材结构还包含一磁体，设置在所述背板的后端面上且用以产生一磁场。
10.如权利要求9所述的磁控溅射装置的靶材结构，其特征在于：所述磁体的一几何中心与所述靶材的一几何中心相对齐。
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