[发明专利]N型TFT的制作方法

权利要求书

1.一种N型TFT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积一遮光层，对所述遮光层进行栅格状图案化处理，得到多个相互间隔的独立遮光块(21)；

步骤2、在所述多个独立遮光块(21)及基板(10)上依次沉积缓冲层(30)和非晶硅层，并使所述非晶硅层结晶、转化为多晶硅层(40)；

所述多晶硅层(40)对应于多个独立遮光块(21)的第一区域(41)的结晶晶粒最小，对应于每相邻两个独立遮光块(21)之间间隔的第二区域(42)的结晶晶粒最大，剩余的第三区域(43)的结晶晶粒适中；

步骤3、在所述多晶硅层(40)上沉积栅极绝缘层(50)；

步骤4、在所述栅极绝缘层(50)上沉积一层导电薄膜并进行图案化处理，得到栅极导电层(60)；

所述栅极导电层(60)位于所述多个相互间隔的独立遮光块(21)的正上方，其两侧均暴露出所述多晶硅层(40)的第三区域(43)与部分第一区域(41)；

步骤5、以所述栅极导电层(60)为遮挡层，对所述多晶硅层(40)进行一次N型离子掺杂，所述多晶硅层(40)的第三区域(43)经N型离子掺杂后的电阻率小于所述多晶硅层(40)的部分第一区域(41)经N型离子掺杂后的电阻率，所述多晶硅层(40)的部分第一区域(41)经N型离子掺杂后等同于轻掺杂漏区。

2.如权利要求1所述的N型TFT的制作方法，其特征在于，还包括：

步骤6、在所述栅极导电层(60)和栅极绝缘层(50)上沉积一层间绝缘层(70)，对所述层间绝缘层(70)与栅极绝缘层(50)进行图案化处理，形成暴露出所述栅极导电层(60)部分表面的第一接触孔(71)、及分别于所述栅极导电层(60)两侧暴露出经N型离子掺杂后的多晶硅层(40)第三区域(43)的部分表面的第二接触孔(72)、与第三接触孔(73)；

步骤7、在所述层间绝缘层(70)上沉积并图案化金属层，形成经由第一接触孔(71)接触所述栅极导电层(60)的栅极(81)、分别经由第二接触孔(72)、第三接触孔(73)接触经N型离子掺杂后的多晶硅层(40)第三区域(43)的源极(82)与漏极(83)。

3.如权利要求1所述的N型TFT的制作方法，其特征在于，所述基板(10)为玻璃基板或塑料基板。

4.如权利要求1所述的N型TFT的制作方法，其特征在于，所述步骤2通过对所述非晶硅层进行脱氢处理，采用准分子激光退火制程使所述非晶硅层结晶、转化为多晶硅层(40)。

5.如权利要求1所述的N型TFT的制作方法，其特征在于，所述多个相互间隔的独立遮光块(21)的数量为3个或3个以上。

6.如权利要求1所述的N型TFT的制作方法，其特征在于，所述步骤1中的遮光层的材料为金属。

7.如权利要求1所述的N型TFT的制作方法，其特征在于，所述缓冲层(30)、栅极绝缘层(50)、与层间绝缘层(70)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合；所述栅极导电层(60)、栅极(81)、源极(82)、与漏极(83)的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的堆栈组合。

8.如权利要求1所述的N型TFT的制作方法，其特征在于，适用于制作AMLCD、AMOLED、及柔性显示器件。