[发明专利]倾斜式硅针尖及其制作方法有效
| 申请号: | 201510696116.8 | 申请日: | 2015-10-23 |
| 公开(公告)号: | CN106610439B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
| 发明(设计)人: | 李加东;苗斌;吴东岷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号: | G01Q70/16 | 分类号: | G01Q70/16 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 倾斜 针尖 及其 制作方法 | ||
1.一种倾斜式硅针尖的制作方法,其特征在于包括:
Ⅰ、在(100)或(111)型硅片上设置光刻胶掩模;
Ⅱ、采用各向同性的干法刻蚀工艺在所述硅片上刻蚀形成倾斜式硅针尖的第一、第二倾斜面;
Ⅲ、去除所述硅片的光刻胶,并在所述硅片表面设置二氧化硅层作为保护层,以保护所述第一、第二倾斜面;
Ⅳ、在所述保护层上加工形成第三倾斜面的刻蚀窗口;
Ⅴ、采用湿法腐蚀工艺自所述刻蚀窗口腐蚀硅片表面而形成第三倾斜面;
Ⅵ、采用氧化方法进行所述针尖的锐化,再除去残留的保护层,获得所述倾斜式针尖。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于所述干法刻蚀工艺包括ICP干法刻蚀,RIE干法刻蚀和DRIE干法刻蚀工艺中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于包括:采用氧化法于所述硅片表面形成作为保护层的二氧化硅层;或者,采用物理或化学沉积法于所述硅片表面形成作为保护层的二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于步骤Ⅳ包括:采用光刻及湿法腐蚀工艺于所述氧化层上形成第三倾斜面的刻蚀窗口。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于步骤Ⅵ包括:采用湿法腐蚀工艺除去残留的保护层。
6.根据权利要求1、4或5所述的制作方法,其特征在于所述湿法腐蚀工艺包括KOH刻蚀和TMAH刻蚀中的任意一种。
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