[发明专利]一种半导体镀膜设备用双通道控温装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种控温装置，尤其是一种半导体镀膜设备用双通道控温装置，属于半导体设备技术领域。

背景技术

半导体设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度，所以加热盘必需具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。大多数半导体薄膜沉积设备，在沉积过程中还会有等离子体参与沉积反应，因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放，加热盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升，如果在进行相同温度下的工艺，需要等待加热盘降到相同的温度后才能进行，这样会耗费大量的时间，设备的产能相对比较低。如果晶圆和加热盘的温度升温过快，晶圆和加热盘的温度会超出薄膜所需承受的温度，致使薄膜失败。

发明内容

为了解决现有半导体镀膜设备热交换效率及产能较低，晶圆温度不够均匀致使薄膜失败的技术问题，本发明提供了一种能够自动调节加热盘温度的双通道控温装置。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种半导体镀膜设备用双通道控温装置，包括加热盘上盘体和加热盘下盘体，两者焊接 在一起并通过加热盘上盘体下端的陶瓷柱和加热盘下盘体下端的陶瓷柱安装螺母定位。所述加热盘上盘体的下表面开有内媒介通道孔和外媒介通道，内媒介通道孔和外媒介通道有相同的入口和出口，分别为上盘面媒介入口和上盘面媒介出口；所述加热盘上盘体的下表面开有一个热电偶孔；所述加热盘上盘体的下表面设有有陶瓷柱孔。在加热盘下盘体上与上盘面媒介入口和上盘盘面媒介出口对应位置分别开有下盘面媒介出口、下盘面媒介入口；在与热电偶孔位置对应的加热盘下盘体上开有热电偶安装螺纹孔；与陶瓷柱孔对应的加热盘下盘体上开有螺纹孔。

本发明采用双通道控温，解决了工艺过程中加热盘温升过快降温慢的问题，而且能够自动调节加热盘温度的系统，来保证加热盘的温度。应用本发明通过循环媒介的自动控温，可以实现加热盘温度的自动调节，能够精确的控制加热盘的温度。

附图说明

图1是本发明的爆炸图。

图2是加热盘上盘面结构示意图。

图3是加热盘下盘面结构示意图。

图中：1、加热盘上盘体；2、陶瓷柱；3、加热盘下盘体；4、陶瓷柱安装螺母；5、螺纹孔；6、陶瓷柱孔；7、内媒介通道孔；8、外媒介通道；9、上盘面媒介入口；10、热电偶孔；11、上盘面媒介出口；12、下盘面媒介入口；13、热电偶安装螺纹孔；14、下盘面媒介出口。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清晰、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1-图3所示：一种半导体镀膜设备用双通道控温装置，包括加热盘上盘体1和加热盘下盘体3，两者焊接在一起并通过加热盘上盘体1下端的陶瓷柱2和加热盘下盘体3下端的陶瓷柱安装螺母4定位。所述加热盘上盘体1的下表面开有内媒介通道孔7和外媒介通道8，内媒介通道孔7和外媒介通道8有相同的入口和出口，分别为上盘面媒介入口9和上盘面媒介出口11；所述加热盘上盘体3的下表面开有一个热电偶孔10；所述加热盘上盘体3的下表面设有有陶瓷柱孔6。在加热盘下盘体3上与上盘面媒介入口9和上盘盘面媒介出口11对应位置分别开有下盘面媒介出口14、下盘面媒介入口12；在与热电偶孔10位置对应的加热盘下盘体3上开有热电偶安装螺纹孔13；与陶瓷柱孔2对应的加热盘下盘体3上开有螺纹孔5。

加热盘下盘体3的柱状结构15内部开有相应的媒介通道及热电偶安装孔。将加热盘上盘体1的下盘面与加热盘下盘体3的上盘面采用真空钎焊进行焊接；然后将陶瓷柱2安装在陶瓷柱孔6内，通过陶瓷柱安装螺母4对陶瓷柱2进行固定，完成整个控温装置的加工。