[发明专利]一种用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法在审
| 申请号： | 201510690555.8 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105206549A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张永祥;陈广伦;张凌越;姜波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 改善 炉管 机台 teos 薄膜 稳定性 方法 | ||
1.一种用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法，其特征在于包括：
第一步骤：准备未经处理的晶圆，并且在测量晶圆的自然氧化层厚度之后将所述晶圆放置到炉管机台的装载区；
第二步骤：将所述晶圆从所述装载区转移到所述炉管机台的处理腔；
第三步骤：按照预定处理方案在所述处理腔对所述晶圆进行沉积处理；
第四步骤：在对所述晶圆进行沉积处理之后测量晶圆的自然氧化层厚度；
第五步骤：计算第四步骤测量的自然氧化层厚度与第一步骤测量的自然氧化层厚度的厚度差值。
2.根据权利要求1所述的用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法，其特征在于，所述预定处理方案不会使得所述晶圆的自然氧化层厚度增长。
3.根据权利要求1或2所述的用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法，其特征在于还包括：
第六步骤：根据所述厚度差值来判断是否有装载区的氧气倒灌到处理腔。
4.根据权利要求3所述的用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法，其特征在于，在所述厚度差值不小于预定阈值时判定有装载区的氧气倒灌到处理腔。
5.根据权利要求3所述的用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法，其特征在于，在所述厚度差值不小于预定阈值时判定处理腔的压力小于装载区的压力。
6.根据权利要求1或2所述的用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法，其特征在于，在所述厚度差值小于预定阈值时判定没有装载区的氧气倒灌到处理腔。
7.根据权利要求1或2所述的用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法，其特征在于，在所述厚度差值不小于预定阈值时判定处理腔的压力不小于装载区的压力。
8.根据权利要求1或2所述的用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法，其特征在于，所述炉管机台用于形成TEOS薄膜的炉管机台。
9.根据权利要求1或2所述的用于改善炉管机台TEOS薄膜稳定性的方法，其特征在于，所述预定阈值为1.5A。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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