[发明专利]一种用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置在审

专利信息
申请号: 201510679240.3 申请日: 2015-10-20
公开(公告)号: CN105256369A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 胡凡;陈特超 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: C30B25/14 分类号: C30B25/14
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 周长清
地址: 410111 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 sic 外延 耐高温 水平 多层 装置
【权利要求书】:

1.一种用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,包括由内至外依次同轴套设的内水套组件(1)、进气组件(2)和安装法兰(3),其特征在于,所述进气组件(2)包括同轴间隔套设的多层进气圈(20)和密封环(4),多层进气圈(20)由外至内逐层伸长,每一个进气圈(20)的顶端均开设进气口(200),末端沿径向向外卷折形成喇叭口状的卷折面(210),进气口(200)的周缘焊接密封环(4),所述多个密封环(4)均设置于安装法兰(3)的外侧且多个密封环(4)之间、最外层的密封环(4)与安装法兰(3)之间均间隔布置。

2.根据权利要求1所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,其特征在于,所述最外层进气圈(20)的卷折面(210)向上延伸形成深槽(5),所述安装法兰(3)覆盖于深槽(5)上并与深槽(5)的外周缘配合焊接固定,所述安装法兰(3)上设有与深槽(5)连通的进水孔。

3.根据权利要求1所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,其特征在于,所述内水套组件(1)包括将冷却水和高温工艺气体隔开的套筒(11),所述套筒(11)一体成型且间隔套设于最内层的进气圈(20)内,所述套筒(11)的一端相对于最内层的进气圈(20)向外伸出,另一端呈喇叭口状结构布置于最内层进气圈(20)的卷折面(210)下方。

4.根据权利要求3所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,其特征在于,所述内水套组件(1)还包括套筒封板(12)、管道(13)和分水板(14),所述套筒(11)的喇叭口底部封装套筒封板(12)以形成冷却腔,所述管道(13)沿轴向插设于冷却腔至套筒封板(12)上方,所述分水板(14)沿平行于套筒封板(12)的方向套设于管道(13)的一端,所述管道(13)的另一端与套筒(11)之间套设套筒封环(15),所述套筒封环(15)上设有与冷却腔连通的通孔。

5.根据权利要求3所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,其特征在于,所述多层进气圈(20)的卷折面(210)延伸至出气口(220)处齐平,相邻两层进气圈(20)之间、最内层进气圈(20)与套筒(11)之间形成进气通道,所述进气通道与进气口(200)、出气口(220)均连通。

6.根据权利要求5所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,其特征在于,每一个所述出气口(220)的周缘对应焊接一个匀气环(230),所述匀气环(230)上开设若干与进气通道连通的匀气通孔。

7.根据权利要求1所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,其特征在于,每一个所述进气口(200)包括沿进气圈(20)的周缘均匀阵列的若干进气孔。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置,其特征在于,所述进气组件(2)包括三层进气圈(20),所述三层进气圈(20)由外至内依次为外层进气圈(21)、中层进气圈(22)和内层进气圈(23),所述外层进气圈(21)的顶端、中层进气圈(22)的顶端以及内层进气圈(23)的顶端均与对应的密封环(4)齐平。

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