[发明专利]一种DC/DC电源输出过压欠压保护电路在审

专利信息
申请号: 201510672756.5 申请日: 2015-10-15
公开(公告)号: CN105305797A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 孙帮东;涂俊杰;吴力涛;周芳 申请(专利权)人: 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215163 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 dc 电源 输出 压欠压 保护 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种DC/DC电源输出过压欠压保护电路,属于电源技术领域。

背景技术

现有DC/DC电源输出过压或欠压保护电路多采用打嗝式保护电路,在DC/DC电源输出出现过压或欠压时,在过压或欠压状态解除前,电源始终处于启动、保护、再启动的循环中,时间长了会对电源模块以及负载设备可能造成损坏。目前较多输出过压保护装置是通过关断原边控制器来实现的,分故障时永久关断输出和故障时振荡输出脉冲两种保护形式。振荡输出脉冲,不断造成电源重新启动,对电源本身产生可靠性影响,不能在线检查负载故障。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种DC/DC电源输出过压欠压保护电路,解决现有技术中过压或欠压状态下频繁启动DC/DC电源导致电源及负载易损坏的技术问题,同时解决现有技术中导致振荡输出脉冲过压保护形式导致DC/DC电源可靠性不高的技术问题。

为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:一种DC/DC电源输出过压欠压保护电路,包括过压欠压检测电路、反馈电路、为过压欠压检测电路提供参考电压的参考电源电路和串联在DC/DC电源与负载之间的MOS管;

所述反馈电路包括:正常电压反馈电路和过压欠压反馈电路;

所述MOS管的栅极与过压欠压检测电路连接,当DC/DC电源输出正常工作电压时,过压欠压检测电路输出开启MOS管,负载正常供电,同时通过正常电压反馈电路形成电压反馈;当DC/DC电源出现过压或欠压时,过压欠压检测电路输出关断MOS管,负载断电,由过压欠压反馈电路形成电压反馈,DC/DC电源在MOS管源极端保持空载情况下继续工作。

所述过压欠压检测电路包括电压比较器U1A、电压比较器U1B、三极管Q3、三极管Q4、电阻R6、电阻R7、电阻R17和电阻R18;

电阻R6一端与参考电源电压输出端REF连接,另一端串联电阻R17后接地;

电阻R7一端与DC/DC电源输出端VO连接,另一端串联电阻R18后接地;

所述电压比较器U1A的同相输入端与电阻R6和电阻R17连接的电节点连接,反相输入端与电阻R7和电阻R18连接的电节点连接;

所述电压比较器U1B的同相输入端与电阻R7和电阻R18连接的电节点连接,反相输入端与参考电源电压输出端REF连接;

所述电压比较器U1A的输出端、电压比较器U1B的输出端分别与三极管Q3的基极连接,三极管Q3的发射极接地,集电极串联电阻R16后与电源VC连接;

三极管Q4的基极反向串联二极管D7后,再串联电阻R16与电源VC连接,三极管Q4的集电极串联电阻R13、电阻R14后与电源VO连接、三极管Q4的发射极接地,电阻R13和电阻R14连接的电节点与MOS管的栅极G1连接;

当电压比较器U1A输出低电平,同时电压比较器U1B输出高电平时,表明DC/DC电源处于过压状态,此时三极管Q3导通,三极管Q4关断,则MOS管关断,DC/DC电源通过过压欠压反馈电路在MOS管源极端保持空载情况下继续工作;

当电压比较器U1A输出高电平,同时电压比较器U1B输出低电平时,表明DC/DC电源处于欠压状态,此时三极管Q3导通,三极管Q4关断,则MOS管关断,DC/DC电源通过过压欠压反馈电路在MOS管源极端保持空载情况下继续工作;

当电压比较器U1A输出低电平,同时电压比较器U1B也输出低电平时,表明DC/DC电源输出正常工作电压,此时三极管Q3关断,三极管Q4导通,则MOS管导通,DC/DC电源为负载供电。

所述电压比较器U1A的输出端串联电阻R3和二极管D5后与三极管Q3的基极连接;

所述电压比较器U1B的输出端串联电阻R4和二极管D6后与三极管Q3的基极连接。

所述三极管Q3的基极与发射极之间还连接有阻容滤波电路,所述阻容滤波电路由并联连接的电阻R15、电容C13组成。

所述反馈回路包括由二极管D4、电阻R11、电阻R12、三端可调分流基准源V3和光耦Q1组成的正常电压反馈电路,和由二极管D3、电阻R9、电阻R11、电阻R12、三端可调分流基准源V3和光耦Q1组成的过压欠压反馈电路;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心,未经中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510672756.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top