[发明专利]用于光纤布拉格光栅的光纤

说明书

技术领域

本发明涉及一种适用于光纤布拉格光栅的光纤。

背景技术

国际公开No.2003/093887(专利文献1)公开了一种在沿着光 纤光轴的预定范围内具有折射率调制的光纤布拉格光栅和一种适用 于形成这种折射率调制的光纤。专利文献1所公开的光纤布拉格光栅 是倾斜式光纤光栅(SFG)，其中，折射率调制的周期长度为几百纳 米，并且光栅的格子面相对于与光纤的光轴垂直的截面倾斜。例如， 这种SFG被用作使掺铒光纤放大器(EDFA)的增益谱平坦化的增益 均衡滤波器。

专利文献1所公开的光纤由硅基玻璃制成，并且包括具有光轴 中心的芯部区域和围绕芯部区域形成的包层区域，尽管芯部区域不包 含GeO₂，但包层区域的至少一部分包含GeO₂。掺有GeO₂的石英玻 璃对具有预定波长的光(例如，波长为270nm以下的紫外光)具有 感光性，并且当用这样的光进行照射时其折射率增大。利用这种现象 能够在掺有GeO₂的石英玻璃中形成折射率调制。从滤波器特性(基 本损耗、峰值波长偏移和因折射率调制而产生的透射谱的半值宽度的 变化)和滤波器形成的处理时间的观点考虑，光纤的最合适的组合物 是未知的，因为专利文献1中没有公开它。在此，“基本损耗”是指 不被折射率调制影响的传输损耗，而“峰值波长”是指因折射率调制 而使透射率变为最小的波长。

发明内容

本发明将要解决的技术问题

本发明目的在于提供一种从SFG的滤波器特性和滤波器形成时 间的观点考虑具有最佳组成的光纤。

解决技术问题的方案

本发明的第一实施例的光纤由硅基玻璃制成，该光纤包括：芯 部区域，其包括光纤的光轴；以及包层区域，其形成为围绕芯部区域， 包层区域的折射率小于芯部区域的折射率，并且包层区域的至少一部 分含有浓度为6.8wt％以上的GeO₂。

在第一实施例的光纤中，浓度可以为7.4wt％以下或8.7wt％以 下。包层区域的所述一部分可以具有外径，该外径是C波段中的波 长下的模场直径的1.5倍至4.0倍。在此，“C波段”为1530nm至 1565nm的波段。

本发明的第二实施例的光纤是由硅基玻璃制成的光纤，并且该 光纤包括：芯部区域，其包括光纤的光轴；以及包层区域，其形成为 围绕芯部区域，包层区域的折射率小于芯部区域的折射率，并且包层 区域的至少一部分含有浓度为7.4wt％以上且7.9wt％以下或7.4wt％ 以上且8.7wt％以下的GeO₂，包层区域的所述一部分具有外径，并且 该外径是C波段中的波长下的模场直径的1.5倍至4.0倍。

在这两个实施例的光纤中，包层区域的所述一部分可以包括内 周和围绕内周的外周。内周处的GeO₂浓度大于外周处的GeO₂浓度， 并且内周处的GeO₂浓度与外周处的GeO₂浓度之差为0.2wt％以上。 上述芯部区域并不需要含有GeO₂。

本发明的有益效果

根据本发明，能够提供一种从SFG的滤波器特性和滤波器形成 时间的观点考虑具有最佳组成的光纤。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的光纤的截面的示意图。

图2是示出沿图1的光纤的径向的折射率分布的实例的示意图。

图3是示出SFG的透射谱的实例的曲线图。

图4是示出当照射在图1的光纤的光学包层区域上的紫外光的 照射量改变时关于SFG的透射谱的变化的实例的曲线图。

图5是说明在滤波器形成的情况下的残存率的曲线图。

图6是示出光学包层区域中的GeO₂浓度与滤波器光谱中的陷波 深度为10dB时的SFG的基本损耗之间的关系的曲线图。

图7是示出光学包层区域中的GeO₂浓度与SFG的滤波器光谱 中的WHM对陷波深度的敏感度之间的关系的曲线图。

图8是示出光学包层区域中的GeO₂浓度与SFG的滤波器光谱 中的峰值波长偏移量之间的关系的曲线图。