[发明专利]用于光纤布拉格光栅的光纤在审
| 申请号： | 201510672351.1 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105527674A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 永岛拓志;长能重博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 光纤 布拉格 光栅 | ||
1.一种由硅基玻璃制成的光纤，包括：
芯部区域，其包括所述光纤的光轴；以及
包层区域，其形成为围绕所述芯部区域，所述包层区域的折射 率小于所述芯部区域的折射率，并且所述包层区域的至少一部分含有 浓度为6.8wt％以上的GeO2。
2.根据权利要求1所述的光纤，其中
所述浓度为7.4wt％以下。
3.根据权利要求1所述的光纤，其中
所述浓度为8.7wt％以下。
4.根据权利要求2或3所述的光纤，其中
所述包层区域的所述一部分具有外径，所述外径是C波段中的 波长下的模场直径的1.5倍至4.0倍。
5.一种由硅基玻璃制成的光纤，包括：
芯部区域，其包括所述光纤的光轴；以及
包层区域，其形成为围绕所述芯部区域，所述包层区域的折射 率小于所述芯部区域的折射率，并且所述包层区域的至少一部分含有 浓度为7.4wt％以上且8.7wt％以下的GeO2，所述一部分具有外径， 并且所述外径是C波段中的波长下的模场直径的1.5倍至4.0倍。
6.根据权利要求5所述的光纤，其中
所述浓度为7.9wt％以下。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的光纤，其中
所述包层区域的所述一部分包括内周和围绕所述内周的外周， 所述内周处的GeO2浓度大于所述外周处的GeO2浓度，并且所述内 周处的GeO2浓度与所述外周处的GeO2浓度之差为0.2wt％以上。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的光纤，其中
所述芯部区域不含有GeO2。
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