[发明专利]封装系统

权利要求书

1.一种封装系统，包括：

一第一中介层，其中该第一中介层包括：

一第一内连线结构；

一第一基板，设置于该第一内连线结构之上，其中该第一基板包括至少一第一硅穿孔结构形成于其中；以及

一模封化合物材料，设置于该第一内连线结构之上且围绕该第一基板；

一第二中介层，设置于该第一中介层之上；以及

一第一集成电路，设置于该第二中介层之上；

其中该第二中介层包括多个第三内连线结构以及设置于所述多个第三内连线结构之间的一第三基板，其中该第三基板的热膨胀系数等于该第一基板的热膨胀系数，且其中该第一集成电路通过该第二中介层的所述多个第三内连线结构与该第一硅穿孔结构电性耦合。

2.根据权利要求1所述的封装系统，其中该第一集成电路包括一第二基板，且该第二基板的热膨胀系数等于该第一基板的热膨胀系数。

3.根据权利要求1所述的封装系统，还包括：

一第二内连线结构，设置于该第一基板与该第一集成电路之间。

4.根据权利要求3所述的封装系统，其中该第一内连线的尺寸大于该第二内连线的尺寸。

5.根据权利要求3所述的封装系统，其中该模封化合物材料还包括：

至少一第二硅穿孔结构，设置于该第一基板之外且被该模封化合物材料所包围，其中一部分该第二内连线结构延伸到至少一部分该模封化合物材料之上且与该第二硅穿孔结构电性耦合。

6.根据权利要求3所述的封装系统，其中该第一内连线结构具有一第一金属线间距，且该第二内连线结构具有小于该第一金属线间距的一第二金属线间距。

7.根据权利要求1所述的封装系统，其中该第一中介层还包括：

一模封化合物层介于该第一内连线结构与该第一基板之间，其中该第一硅穿孔结构穿过该模封化合物层。

8.根据权利要求1所述的封装系统，其中该模封化合物材料的底表面与该第一硅穿孔结构的底表面切齐。

9.根据权利要求1所述的封装系统，还包括：

一第二集成电路，设置于该第一中介层之上，其中该第二集成电路与该第一硅穿孔结构电性耦合，且该第二集成电路包括一第四基板，其中该第四基板的热膨胀系数等于该第一基板的热膨胀系数。

10.根据权利要求1所述的封装系统，其中该第二中介层包括至少一第三硅穿孔结构，且通过该第二中介层的该第三硅穿孔结构电性耦合该第一集成电路与该第一硅穿孔结构。