[发明专利]半导体制造装置用部件及其制造方法有效
| 申请号: | 201510634731.6 | 申请日: | 2015-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN105489541B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
| 发明(设计)人: | 奈须孝有;丹羽伦规;岐部太一 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 制造 装置 部件 及其 方法 | ||
本发明提供能够抑制发热体的厚度、宽度的偏差,并抑制设有发热体的主体基板的温度偏差的半导体制造装置用部件及其制造方法。静电卡盘(半导体制造装置用部件)的制造方法具有以下工序:涂敷工序,在该涂敷工序中,在要成为主体基板的陶瓷坯片(110e)之上涂敷作为发热体材料的感光性金属膏(410);曝光显影工序,在该曝光显影工序中,对涂敷在陶瓷坯片(110e)之上的感光性金属膏(410)进行曝光和显影,在陶瓷坯片(110e)之上形成要成为发热体的中间发热体(410a);以及烧制工序,在该烧制工序中,同时对陶瓷坯片(110e)和中间发热体(410a)进行烧制,形成主体基板和发热体。
技术领域
本发明涉及半导体制造装置用部件及其制造方法。
背景技术
以往,在半导体制造装置中,对半导体晶圆(例如硅晶圆)进行干蚀刻(例如等离子体蚀刻)等加工处理。为了提高该加工精度,在半导体制造装置内需要能可靠地支承半导体晶圆的支承部件。作为该支承部件,公知有利用静电引力来支承半导体晶圆的静电卡盘。
当半导体晶圆的温度产生偏差时,加工精度会降低。为了提高加工精度,需要使由静电卡盘支承的半导体晶圆的温度均匀。例如,在专利文献1中,公开了一种静电卡盘,该静电卡盘在对半导体晶圆进行支承的陶瓷基板的内部具有发热体(加热电极)。能够利用该发热体来加热半导体晶圆。
专利文献1:日本特开2004-71647号公报
发明内容
然而,在专利文献1的静电卡盘中,存在如下那样的问题。即,发热体是通过利用网版印刷使发热体材料(金属膏)形成期望的图案(图案形成)而制成的。可是,在网版印刷的情况下,由于印刷渗透、网版掩模导致的网格痕迹、网版掩模的位置偏移以及印刷方向与图案形成方向的差异等,有时使形成图案后的发热体材料产生厚度、宽度的偏差等。
因此,烧制后的发热体的厚度、宽度产生偏差,从而难以使发热体均匀地发热。由此,会使内置有发热体的陶瓷基板产生温度偏差(面方向上的温度偏差),因此,会使由陶瓷基板支承的半导体晶圆产生温度偏差。其结果,有时使半导体晶圆的加工精度降低。
本发明是鉴于该背景而做出的,其目的在于,欲提供能够抑制发热体的厚度、宽度的偏差,并抑制设有发热体的主体基板的温度偏差的半导体制造装置用部件及其制造方法。
本发明的第1技术方案提供一种半导体制造装置用部件的制造方法,该半导体制造装置用部件包括由陶瓷形成的主体基板和设于该主体基板的发热体,该半导体制造装置用部件的制造方法的特征在于,半导体制造装置用部件的制造方法包括以下工序:涂敷工序,在该涂敷工序中,在要成为所述主体基板的陶瓷坯片之上涂敷作为发热体材料的感光性金属膏;曝光显影工序,在该曝光显影工序中,对涂敷在所述陶瓷坯片之上的所述感光性金属膏进行曝光和显影,在所述陶瓷坯片之上形成要成为所述发热体的中间发热体;以及烧制工序,在该烧制工序中,同时对所述陶瓷坯片和所述中间发热体进行烧制,形成所述主体基板和所述发热体。
在所述半导体制造装置用部件的制造方法中,依次进行所述涂敷工序、所述曝光显影工序。即,使用光刻法将发热体材料(感光性金属膏)形成期望的图案。因此,能够使使用光刻法形成的发热体材料(中间发热体)的图案的厚度、宽度的偏差小于使用以往的网版印刷等方法形成的图案的厚度、宽度的偏差。
由此,能够在所述烧制工序中形成厚度、宽度的偏差得到抑制而发热的均匀性优异的发热体。因此,能够抑制设有发热体的主体基板的温度偏差(面方向上的温度偏差),进而能够抑制由主体基板支承的半导体晶圆等的温度偏差。其结果,例如,能够提高对半导体晶圆进行蚀刻的加工精度,从而能够提高成品率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





