[发明专利]半导体制造装置用部件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510634731.6 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105489541B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 奈须孝有;丹羽伦规;岐部太一 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 部件 及其 方法 | ||
1.一种半导体制造装置用部件的制造方法，该半导体制造装置用部件包括由陶瓷形成的主体基板和设于该主体基板的发热体，该半导体制造装置用部件的制造方法的特征在于，
半导体制造装置用部件的制造方法包括以下工序：
涂敷工序，在该涂敷工序中，在要成为所述主体基板的陶瓷坯片之上涂敷作为发热体材料的感光性金属膏；
曝光显影工序，在该曝光显影工序中，对涂敷在所述陶瓷坯片之上的所述感光性金属膏进行曝光和显影，在所述陶瓷坯片之上形成要成为所述发热体的中间发热体；以及
烧制工序，在该烧制工序中，同时对所述陶瓷坯片和所述中间发热体进行烧制，形成所述主体基板和所述发热体。
2.一种半导体制造装置用部件的制造方法，该半导体制造装置用部件包括由陶瓷形成的主体基板和设于该主体基板的发热体，该半导体制造装置用部件的制造方法的特征在于，
该半导体制造装置用部件的制造方法具有以下工序：
涂敷工序，在该涂敷工序中，在载膜之上涂敷作为发热体材料的感光性金属膏；
曝光显影工序，在该曝光显影工序中，对涂敷在所述载膜之上的所述感光性金属膏进行曝光和显影，在所述载膜之上形成要成为所述发热体的中间发热体；
转印工序，在该转印工序中，将所述载膜之上的所述中间发热体转印到要成为所述主体基板的陶瓷坯片之上；以及
烧制工序，在该烧制工序中，同时对所述陶瓷坯片和所述中间发热体进行烧制，形成所述主体基板和所述发热体。
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件的制造方法，其特征在于，
所述中间发热体具有矩形形状的截面。
4.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件的制造方法，其特征在于，
所述中间发热体的表面粗糙度Ra为1μm以下。
5.根据权利要求3所述的半导体制造装置用部件的制造方法，其特征在于，
所述中间发热体的表面粗糙度Ra为1μm以下。
6.一种半导体制造装置用部件，其特征在于，
该半导体制造装置用部件是利用权利要求1～5中任一项所述的半导体制造装置用部件的制造方法制造而成的，
该半导体制造装置用部件包括由陶瓷形成的主体基板和设于该主体基板的发热体，
该发热体具有矩形形状的截面，
所述发热体的表面粗糙度Ra为1μm以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
