[发明专利]一种TiAlV合金的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510601726.5 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105220144B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吴连勇;雷述宇;何熙;方辉 | 申请（专利权）人： | 北方广微科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12;C23F1/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tialv 合金 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种TiAlV合金的刻蚀方法，包括：
a.在半导体衬底上生长TiAlV合金薄膜；
b.在所述TiAlV合金薄膜上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；
c.采用CL2、BCL3、N2的混合气体对所述TiAlV合金薄膜进行刻蚀；其中，所述混合气体中CL2、BCL3、N2的比例为1:1:1～1:2:2；
d.去除光刻胶。
2.根据权利要求1所述的TiAlV合金的刻蚀方法，其特征在于，在步骤c中，采用CL2、BCL3、N2的混合气体对所述TiAlV合金薄膜进行刻蚀的方法为反应离子刻蚀，该步骤在反应离子刻蚀设备中完成。
3.根据权利要求1所述的TiAlV合金的刻蚀方法，其特征在于，在步骤c中，采用CL2、BCL3、N2的混合气体对所述TiAlV合金薄膜进行刻蚀的过程中，刻蚀工艺的压力为50～300mtoor，功率为200～800W。
4.根据权利要求1所述的TiAlV合金的刻蚀方法，特征在于，在步骤d中，去除所述光刻胶的方法为干法去胶。
5.根据权利要求1所述的TiAlV合金的刻蚀方法，其特征在于，在步骤d之后还包括步骤e：
去除在步骤c中产生的聚合物。
6.根据权利要求5所述的TiAlV合金的刻蚀方法，其特征在于，去除所述聚合物的方法为依次采用有机化学溶液、无机化学溶液、去离子水对刻蚀后的TiAlV合金薄膜进行清洗。
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