[发明专利]一种核径迹蚀刻膜的制作方法

权利要求书

1.一种核径迹蚀刻膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

辐照：使用加速器产生的适当能量的荷能离子辐照聚合物薄膜，使离子在薄膜中的射程大于薄膜厚度的2/3且小于薄膜厚度；

蚀刻：将经过辐照的聚合物薄膜浸没在蚀刻液中进行蚀刻；

清洗：用清水清洗蚀刻后的聚合物薄膜；

烘干：将清洗完毕的薄膜聚合物烘干。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述聚合物薄膜的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚丙烯或聚氨酯。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，辐照步骤中，辐照后在聚合物薄膜上形成的潜径迹密度为1×10²～1×10¹²/cm²。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，蚀刻步骤中，蚀刻液为NaOH、KOH、H₂SO₄、HCl、HF、NaClO、K₂CrO₇或KMnO₄的水溶液或H₂SO₄、HCl、HF、NaClO、K₂CrO₇、KMnO₄的水溶液的组合；蚀刻液的浓度为0.1-35mol/L。

5.根据权利要求1-4任一所述的制作方法，其特征在于，蚀刻温度为10-95℃；蚀刻时间为1-300分钟。