[发明专利]一种OLED光电材料及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光二极管(OLED)光电材料及其应用，属于有机光电材料技术领域。

背景技术

近年来，一些用于OLED器件的光电材料已日益为人所知，众所周知芳香二胺衍生物在OLED器件中作为空穴传输材料，使用该类材料时，需要提高器件施加电压以获得足够的发光亮度，这就造成器件寿命的缩短，并增加了耗电量。为解决这些问题，通过掺杂电子受体化合物可以使OLED器件中空穴注入和空穴传输得到显著改善(文献：He Gufeng，Appl.Phys.lett.85(2004)3911-3913)。在同样的发光效率下，其电子受体化合物的加入可以较大幅度的降低OLED器件工作电压。强的电子受体化合物诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟代-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F₄TCNQ)。

对于改善空穴传输的方法(P掺杂)，所用材料的物理性质在升华纯化或真空蒸镀过程中存在问题，其中涉及蒸发性极难控制的氟化的四氰基苯醌二甲烷(TCNQ或F₄TCNQ)，由于其分子量较小，升华过程中很容易扩散至设备中，导致污染设备或器件，以至于这类掺杂剂不能用于批量生产装置中。

目前，关于P型掺杂材料的研究及相关报道在国内、国际都不多，在这方面的研究急需进一步加强。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种OLED光电材料及其应用，本发明提供的光电材料更易制备、可以提高OLED器件发光效率及寿命，降低OLED器件的驱动电压并且真空蒸镀可控制性高。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种OLED光电材料，结构如通式1所示：

其中，所述Ar为下述通式2表示的基团：

所述R1-R5均选自氯、氟、硝基、三氟甲基、异硫氰酸酯基或氰基中的任意一种，且所述R1-R5相同或不同。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述OLED光电材料选自下列结构之一：

本发明还提供一种OLED光电材料的应用，在有机电致发光器件中，至少有一个功能层，含有上述的OLED光电材料。

本发明还提供一种有机电致发光器件，包括：阳极层和阴极层之间的发光层，以及所述阳极层和所述发光层之间的空穴注入层，其中，所述空穴注入层由基质材料和掺杂剂组成，所述基质材料和掺杂剂的摩尔比为1:1-100000：1。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述基质材料选自酞菁铜络合物(CuPc)、4,4’,4”,-三(N-3-甲苯基-N-苯基-胺基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4’,4”,-三(N-(2-萘基)-N-苯基-胺基)三苯胺(2-TNATA)、N,N,N’,N’-四(4-甲氧基-苯基)联苯胺(MeO-TPD)、(2,2’7,7’-四-(N,N-二苯胺)-9,9-螺二芴(螺-TTB)、三(三联苯-4-基)胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)中的任意一种或几种；所述掺杂剂为上述OLED光电材料。

由于本发明提供的一系列基于3-轴烯的OLED光电材料，该类材料通过在3-轴烯基础上引入强吸电子的二氰基噻唑和其他具有强吸电子能力的芳基基团，提供了能够提高OLED器件发光效率及寿命，降低OLED器件的驱动电压并且真空蒸镀可控制性高的光电材料。

该类材料的热重分析和差热分析测试表现出较高的热稳定性和玻璃化转变温度，容易形成良好的无定形薄膜，高温真空蒸镀过程中控制性强。

因而，使用本发明的光电材料制造电致发光器件器件，可实现高亮度，易成膜，高效率，低电压的总体效果。

进一步的，在工作过程中设置较低的电压且本身具有的较高热稳定性和玻璃化转变温度，应用在电致发光器件中，可以获得更加稳定的效果和更长的使用寿命。

并且，总体上因为本发明提供的化合物采用了较简的合成方法，制备更加方便。应用于电致发光器件技术领域，作为材料更易获得，成本更低，并具有高亮度，高效率，低电压的总体效果，因而更适用于工业生产。

附图说明

图1为本发明器件实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、透明基板层，2、阳极层，3、空穴注入层，4、空穴传输层，5、发光层，6、电子传输层，7、电子注入层，8、阴极层。