[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统有效
| 申请号: | 201510540844.X | 申请日: | 2009-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN105185801B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
| 发明(设计)人: | 远藤信之;板野哲也;山崎和男;渡边杏平;市川武史 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宋岩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 图像 拾取 装置 系统 | ||
1.一种图像拾取装置,包括:
第一基板,具有第一晶体管和光电转换元件;
第二基板,具有被包括在用于AD转换的信号处理电路中的第二晶体管;
第一布线层,包括连接到第一晶体管的第一布线;
第一绝缘膜,布置在第一布线层和第一基板之间;
第二布线层,包括第二布线;
第二绝缘膜,布置在所述第二布线层和所述第二基板之间;以及
被布置在第一基板和第二基板之间的由氮化硅或碳化硅形成的膜,
其中,第一布线层被布置在第二布线层和第一基板之间,
其中,第二布线的主要成分是铜,
其中,所述第一晶体管的漏极区域具有与所述第一绝缘膜接触地设置的第一半导体区域,并且所述第二晶体管包含金属硅化物层,并且
其中,第一基板具有第三晶体管,第一晶体管的漏极区域被连接到第三晶体管的栅电极。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,任何金属硅化物层都不被布置在第一绝缘膜和第一基板的所有半导体区域之间。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述光电转换元件包括N型区域和P型层,P型层被设置在N型区域和所述第一绝缘膜之间,所述第一晶体管的漏极区域具有与第一绝缘膜中的插头连接的第三半导体区域,并且金属硅化物层不被布置在所述第一绝缘膜和所述第一半导体区域之间。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一晶体管被连接到所述光电转换元件,所述第一基板具有包括所述光电转换元件在内的多个光电转换元件,所述第一晶体管的漏极区域是浮动扩散部,并且包括STI隔离层的元件隔离结构被设置在所述多个光电转换元件之间。
5.一种图像拾取装置,包括:
第一基板,具有第一晶体管和光电转换元件;
第二基板,具有第二晶体管;
第一布线层,包括连接到第一晶体管的第一布线;
第一绝缘膜,布置在第一布线层和第一基板之间;
第二布线层,包括连接到第二晶体管的第二布线;以及
第二绝缘膜,布置在所述第二布线层和所述第二基板之间,
由氮化硅或碳化硅形成的膜,
其中,第一布线层被布置在第二布线层和第一基板之间,
其中,所述第一晶体管的漏极区域具有与所述第一绝缘膜接触地设置的第一半导体区域,并且所述第二晶体管的漏极区域具有布置在所述第二绝缘膜和所述第二基板的第二半导体区域之间的金属化合物层,
其中,所述第二晶体管的栅电极被布置在所述第二绝缘膜和所述第二基板之间,并且所述第二晶体管的栅电极具有金属化合物层,
其中,所述第二晶体管的栅电极被布置在第一基板和第二基板之间,并且
其中,由氮化硅或碳化硅形成的膜被布置在漏极区域的金属化合物层和第二绝缘膜之间。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,其中所述第一基板具有第一表面和第二表面,所述第一晶体管被布置在所述第一表面中,所述第二表面与所述第一表面相对,其中钴的硅化物层不被布置在所述第二表面和所述第一布线层之间。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述金属化合物层包含钴或钛。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510540844.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
- 彩色图像和单色图像的图像处理
- 图像编码/图像解码方法以及图像编码/图像解码装置
- 图像处理装置、图像形成装置、图像读取装置、图像处理方法
- 图像解密方法、图像加密方法、图像解密装置、图像加密装置、图像解密程序以及图像加密程序
- 图像解密方法、图像加密方法、图像解密装置、图像加密装置、图像解密程序以及图像加密程序
- 图像编码方法、图像解码方法、图像编码装置、图像解码装置、图像编码程序以及图像解码程序
- 图像编码方法、图像解码方法、图像编码装置、图像解码装置、图像编码程序、以及图像解码程序
- 图像形成设备、图像形成系统和图像形成方法
- 图像编码装置、图像编码方法、图像编码程序、图像解码装置、图像解码方法及图像解码程序
- 图像编码装置、图像编码方法、图像编码程序、图像解码装置、图像解码方法及图像解码程序





