[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统有效

专利信息
申请号: 201510540844.X 申请日: 2009-12-26
公开(公告)号: CN105185801B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 远藤信之;板野哲也;山崎和男;渡边杏平;市川武史 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 宋岩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固态 图像 拾取 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种图像拾取装置,包括:

第一基板,具有第一晶体管和光电转换元件;

第二基板,具有被包括在用于AD转换的信号处理电路中的第二晶体管;

第一布线层,包括连接到第一晶体管的第一布线;

第一绝缘膜,布置在第一布线层和第一基板之间;

第二布线层,包括第二布线;

第二绝缘膜,布置在所述第二布线层和所述第二基板之间;以及

被布置在第一基板和第二基板之间的由氮化硅或碳化硅形成的膜,

其中,第一布线层被布置在第二布线层和第一基板之间,

其中,第二布线的主要成分是铜,

其中,所述第一晶体管的漏极区域具有与所述第一绝缘膜接触地设置的第一半导体区域,并且所述第二晶体管包含金属硅化物层,并且

其中,第一基板具有第三晶体管,第一晶体管的漏极区域被连接到第三晶体管的栅电极。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,任何金属硅化物层都不被布置在第一绝缘膜和第一基板的所有半导体区域之间。

3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述光电转换元件包括N型区域和P型层,P型层被设置在N型区域和所述第一绝缘膜之间,所述第一晶体管的漏极区域具有与第一绝缘膜中的插头连接的第三半导体区域,并且金属硅化物层不被布置在所述第一绝缘膜和所述第一半导体区域之间。

4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一晶体管被连接到所述光电转换元件,所述第一基板具有包括所述光电转换元件在内的多个光电转换元件,所述第一晶体管的漏极区域是浮动扩散部,并且包括STI隔离层的元件隔离结构被设置在所述多个光电转换元件之间。

5.一种图像拾取装置,包括:

第一基板,具有第一晶体管和光电转换元件;

第二基板,具有第二晶体管;

第一布线层,包括连接到第一晶体管的第一布线;

第一绝缘膜,布置在第一布线层和第一基板之间;

第二布线层,包括连接到第二晶体管的第二布线;以及

第二绝缘膜,布置在所述第二布线层和所述第二基板之间,

由氮化硅或碳化硅形成的膜,

其中,第一布线层被布置在第二布线层和第一基板之间,

其中,所述第一晶体管的漏极区域具有与所述第一绝缘膜接触地设置的第一半导体区域,并且所述第二晶体管的漏极区域具有布置在所述第二绝缘膜和所述第二基板的第二半导体区域之间的金属化合物层,

其中,所述第二晶体管的栅电极被布置在所述第二绝缘膜和所述第二基板之间,并且所述第二晶体管的栅电极具有金属化合物层,

其中,所述第二晶体管的栅电极被布置在第一基板和第二基板之间,并且

其中,由氮化硅或碳化硅形成的膜被布置在漏极区域的金属化合物层和第二绝缘膜之间。

6.根据权利要求5所述的装置,其中,其中所述第一基板具有第一表面和第二表面,所述第一晶体管被布置在所述第一表面中,所述第二表面与所述第一表面相对,其中钴的硅化物层不被布置在所述第二表面和所述第一布线层之间。

7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述金属化合物层包含钴或钛。

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